支持28nm工艺,台积电推出设计参考流程10.0版

设计参考流程10.0版台湾积体电路制造股份有限公司推出其最新版本的设计参考流程10.0版,能够进一步降低芯片设计门槛、提升芯片设计精确度、并提高生产良率。此设计参考流程10.0版系台积电开放创新平台(Open Innovation Platform™)的主要构成要素之一,并能延续其实现更先进设计方法的传统,解决28纳米工艺所面临的新设计挑战,并有多项创新以促成系统级封装设计(System in Package, SiP)的应用。

应用于28纳米芯片设计
台积电的开放创新平台使EDA电子设计自动化工具可以充份支援28纳米工艺,也让芯片设计与工艺技术的协同最佳化能在研发初期即可完成,并确保所需的EDA工具之功能更正确、即时地强化。特别的是,台积电的设计参考流程10.0版已超越与28纳米工艺密切相关的设计规则检验(Design Rule Check, DRC)、设计布局模型(Layout Versus Synthesis, LVS)与extraction实体验证(physical verification),并更进一步透过与EDA伙伴的及早合作,让他们所提供的布局与绕线(place and route)工具更适合台积电的28纳米工艺。

系统级封装
台积电自2001年推出设计参考流程至今,系统单芯片是前九个版本的焦点,而此次10.0版则首度推出系统级封装设计解决方案,涵盖系统级封装设计、封装extraction的电性分析、时序、讯号完整性(integrity)、电压下降(IR drop)与DRC及LVS的热效应及实体验证。这些系统级封装技术能协助客户在落实终端产品设计的过程中,探求实作与整合策略的可能性,并在成本、效能与即时上市等方面强化竞争优势。

扩大与EDA业者合作
设计参考流程10.0版的一项新元素是来自于Mentor Graphics公司的RTL-to-GDSII芯片设计流程,以支援客户的EDA应用;同时也让Altos、Anova、Apache、Azuro、Cadence、CLK DA、Extreme DA、Magma、Nannor、Synopsys等台积电既有的设计生态系统伙伴,透过与台积电的合作,能更进一步地将EDA的创新带给客户。

在节能、效能与可制造性设计上不断推陈出新
设计参考流程10.0版的新低耗电特色包括:支援脉波拴锁电路(pulsed latch),即为一种节能及阶层化低功耗自动化之设计架构,与多边缘功效/时序之协同最佳化、多边缘低耗电的时脉树合成(Clock Tree Synthesis)、无向量(vectorless)功效分析以及更有效的power-aware implementation与功耗分析。为了实现更大的效能,设计参考流程10.0版首次提供更进步的stage-based芯片变异性(On-Chip Variation, OCV)最佳化与分析,让客户得以更确实掌握时机,以移除不必要的设计余裕。此外,电子化可制造性设计的一项新特色在于引导客户考量硅应力效应(silicon stress effect)的时序影响,进而有助良率提升。

有关开放创新平台
台积电的开放新平台强调芯片设计产业、台积电设计生态系统合作伙伴、与台积电完整的三者之间无时差的创新,并拥有多个互通的设计生态系统界面以及由台积电与合作伙伴协同开发出的构成要素,这些构成要素系由台积电主动发起或提供支援。透过这些界面以及构成要素,可以更有效率地加速整个半导体产业供应链每个环节的创新,并促使整个产业得以创造及分享更多的营收及获利。此外,台积电的AAA-主动精准保证机制(Active Accuracy Assurance Initiative™)是开放创新平台中的另一重要关键,能够确保上述界面及构成要素的精确度及品质。

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