英特尔携手美光采用3-Bit-Per-Cell技术推出业界最高效的34纳米NAND产品

多层单元(MLC)NAND英特尔公司(Intel Corporation)和美光科技股份有限公司(Micron Technology Inc.,纽约证券交易所:MU)今天宣布,双方依靠其获奖的34纳米NAND工艺,推出每单元储存3比特(3-bit-per-cell,简称3bpc)的多层单元(MLC)NAND技术试用产品。这些芯片最适合用于闪存卡和USB驱动器等消费存储设备,在这类应用场合中,高密度和性价比是首要考虑的问题。

双方组建的NAND闪存合资企业IM Flash Technologies公司(IMFT)开发了3bpc NAND新技术,并利用这项技术生产出了目前市场上尺寸最小、性价比最高的32Gb芯片。32Gb 3bpc NAND芯片面积为126mm²,将于2009年第四季度投入量产。两家公司不断致力于新的工艺微缩(process shrink)研发,现在推出的3bpc NAND技术是其产品战略的重要组成部分,也是为关键细分市场服务的有效途径。

美光公司内存事业部副总裁Brian Shirley说,“我们把3bpc NAND技术看作路线图的重要组成部分。我们也会继续推进NAND工艺微缩的研发,从而在今后若干年为客户提供世界一流的产品组合。今天发布的消息进一步表明,美光和英特尔在34纳米NAND技术方面已经取得了重大的进展。我们盼望今年晚些时候推出2xnm技术。”

英特尔公司副总裁、英特尔NAND解决方案事业部总经理Randy Wilhelm说,“我们走向3bpc技术,这是英特尔和美光在34纳米NAND开发过程中取得突出进展的又一个证明。这一里程碑为我们在2xnm硅加工工艺方面保持领先地位奠定了基础,而这种2xnm工艺将有助于为客户节省成本,拓展我们NAND解决方案的功能。”

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