华润上华200V SOI工艺开发持续创新,产品再上新台阶

华润上华200V SOI工艺开发持续创新华润上华200V SOI工艺开发持续创新华润微电子有限公司(“华润微电子”)附属公司华润上华科技有限公司(“华润上华”)近日宣布,继2010年首颗200V SOI CDMOS产品量产后,日前更高性价比的第二代SOI工艺实现量产。该工艺是一种集成多种半导体器件的集成电路制造技术,由华润上华在2010年实现量产的一代工艺基础上作了工艺升级,达到更高的性价比,这在国内尚属首家。第二代工艺的推出显示了华润上华已经全面掌握了SOI工艺技术,具备了根据市场需求持续开发具有自主知识产权的SOI工艺技术能力。华润上华的这项技术填补了国内技术空白,并已成功打入国际市场,为三星、长虹等国内外著名PDP电视厂家提供芯片。

200V SOI CDMOS第一代工艺技术依托华润上华现有的低压CMOS工艺平台,结合深槽刻蚀技术及SOI介质隔离技术,开发了200V NLDMOS 以及200V PLDMOS 以及200V 高压特种器件NLIGBT,实现了芯片高电压大电流驱动能力。该工艺所采用的深槽刻蚀、填充方法与传统的CMOS工艺生产线基本兼容,开发成本低,不需要增加专用的深槽填充与平坦化设备,能较好地实现器件之间的隔离,是实现高压器件工艺与普通低压CMOS工艺相兼容的关键技术之一。二代工艺与一代工艺一样,集成了多种MOS器件,包括:低压5V 标准CMOS、200V高压NLDMOS、200V 高压PLDMOS、200V 高压IGBT及作为ESD保护器件200V 高压二极管。与一代工艺相比,二代工艺采用0.5μm 后段并对关键器件做了优化调整,达到了更高的性价比。在研发过程中,该技术已累计申请涉及SOI的器件、结构、工艺、制造、测试验证等多个方面的发明专利105项。

华润上华的200V SOI CDMOS工艺可满足国内设计公司对高压、高功率产品的开发需求,同时也可满足客户对高压电源驱动管理——LED和PDP驱动及控制类芯片的巨大市场需求。采用的SOI圆片衬底材料由国内硅片厂家提供,可有效降低成本,提高了产品竞争力。与Si基比,SOI制造的芯片具有显著的节电效果,有利于大幅降低用电量。另外,SOI在高温下性能非常稳定,具有高可靠性。目前全球能提供基于SOI工艺的PDP驱动芯片仅有4家,采用华润上华工艺的这款芯片在部分性能上已达到国际先进水平。

SOI的应用非常广泛,市场前景可观。随着微处理器(CPU)、游戏机芯片(GPU)制程对SOI 技术需求愈来愈强,SOI 已成为各大晶圆代工角逐核心客户青睐的武器,其应用市场已拓展到功率和灵巧器件以及MEMS 应用,特别是在汽车电子、显示、无线通讯等方面发展迅速。VLSI研究预测,SOI市场未来几年将会以健康的速率持续成长,预期SOI未来5年的年均复合增长率将达11%,到2012年 销售额将达到11亿美元。

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