飞思卡尔推出全新的射频功率LDMOS放大器

飞思卡尔半导体日前推出了两款全新的宽带射频功率放大器 - 新款Airfast AFIC901N LDMOS射频集成器件和AFT05MS003N LDMOS晶体管。这两款产品的运行电压为3.6V或7.5V,主要适用于无线电传输范围的功耗和电池使用寿命的高效性为重要设计要求的应用。
例如,移动无线电系统正在从模拟向数字化调制方案过渡,这通常需要无线电的重新设计。

借助市场领先效率的飞思卡尔最新射频功率器件,陆地移动无线电OEM可利用晶体管的性能提升电池寿命。此外,此器件的高增益为降低晶体管的使用数量提供可能,最大程度降低系统成本。无线电设计人员还能充分利用现有的参考电路,最大限度地加快他们所设计产品的上市速度。

飞思卡尔的新款Airfast AFIC901N LDMOS射频集成器件和AFT05MS003N LDMOS晶体管专为应对上述这些挑战而设计,提供广泛的带宽,可覆盖136至941 MHz之间的所有频段。它们还提供高频率和高增益特性,并采用紧凑、轻便的超模压塑封装。它们具有极高的耐用性(>65:1 VSWR),使手持无线电设备非常耐用。

这些晶体管非常适合与飞思卡尔系列的微控制器结合使用,适用于运行频率为169、434或868 MHz的自动抄表器等应用,它们可以经济高效地扩大应用的通信范围。此外,它们还非常适合其他机对机应用和数据采集与监视控制(SCADA)系统。

AFIC901N双级LDMOS器件提供1 W连续波的射频输出功率,63%的效率以及30dB增益,VHF频率在136和174 MHz之间。此器件采用QFN 4x4封装。由于它仅在输出功率为0 dBm时才能提供30 dBm的全额定功率,消除了预放大的需求。在输入和输出以及级间水平时,AFIC901N可外部为器件提供射频匹配灵活性。借助此器件,设计人员可以仅更改电路板上的几个分立元件,来优化器件,满足他们特定的系统需求,包括多个无线电频段。

单级AFT05MS003N提供3 W的连续波功率。它覆盖136至941MHz的频率,提供17 dB增益,并且在VHF频段时效率为67%,并拥有无与伦比的输入和输出。 AFT05MS003N采用SOT-89超模压塑封装。

新的晶体管均隶属飞思卡尔市场领先的Airfast产品组合,是7.5至12.5 VDC晶体管,适用于1至 75 watts功率的移动和M2M无线电应用。

供货

AFT05MS003N现已批量生产,AFIC901N已开始提供样品。这两款器件均可提供面向VHF(135至175 MHz)和UHF(350至520 MHz)的样品和参考设计。如需了解定价或其他信息,请联系本地飞思卡尔销售办事处或访问 www.freescale.com/RF