“助攻”电源设计:900V SiC MOSFET导通电阻创新低!

CREE推出了900V MOSFET:C3M0065090J。凭借其新突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术,该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进行了优化。超越同样成本的Si 基方案,能够实现下一代更小尺寸、更高效率的电力转换系统,并大幅降低了系统成本。C3M0065090J突破了电力设备技术,是开关模式电源(spm)、电池充电器、太阳能逆变器,以及其他工业高电压应用等的电源管理解决方案。

世强代理的该900V SiC具有更宽的终端系统功率范围,能满足不断演变的新型应用市场中的设计挑战,更高直流母线电压也同样适用。在25°C条件下,C3M0065090J拥有目前市面上最低的65mΩ的额定导通电阻;当温度高至150°C时,也可保证导通电阻只有90mΩ,这能有效降低功率损耗,并缩减热管理系统的尺寸。从而进一步减少电源设计者们的创新限制,有助于实现尺寸更小、速度更快、温度更低、效率更高的电源方案。

图: CREE业界首款900V MOSEFET C3M0065090J

C3M0065090J不仅提高了系统效率,还增加了功率密度以及开关频率,能够提供优化的+ 15 v / 5 v门极驱动和+/- 36 v连续漏电流。配备131数控C3M0065090D通孔模型和134数控C3M0065090J表面装配模型的快速二极管,所以反向恢复时间短。此外,该产品采用业界标准TO247-3/TO220-3封装,还能提供开尔文连接的低阻抗 D2Pak-7L表面贴封装,从而减小了栅极振荡。

C3M0065090J的特点与优势:
•采用SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术,n沟道增强型
•高阻断电压,较低的导通电阻65mΩ(25°C),90mΩ(150°C)
•较低的高速开关功放
•新的低阻抗包和驱动源
•具用快速内在二极管,反向恢复电流较低(Qrr)
•工作温度:-55 °C 至 +150 °C
•封装:标准TO247-3/TO220-3,及低阻抗 D2Pak-7L表面贴封装
•无卤,通过无铅认证

C3M0065090J的应用:
•可再生能源
•电动汽车电池充电器
•高压直流/直流转换器
•开关模式电源
•太阳能逆变器

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