专注性能提升!Vishay推新款VRPower®集成式DrMOS功率级解决方案

这些器件节省空间,连续电流为30A和40A,采用4.5mm x 3.5mm和5mm x 5mm PowerPAK®封装,适用于移动计算平台
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,为满足下一代笔记本电脑、超便携笔记本和桌面PC对大电流、高效率和高功率密度的性能需求,推出5款新的VRPower®集成式DrMOS功率级解决方案---SiC530SiC531SiC532SiC631SiC632,可用于多相POL稳压器。

Vishay Siliconix 的这五款器件在热增强的4.5mm x 3.5mm PowerPAK® MLP4535-22L和5mm x 5mm PowerPAK MLP55-31L封装内,组合了功率MOSFET、先进的MOSFET栅极驱动IC和自举肖特基二极管,占位面积比使用分立器件的方案小45%。器件的高功率密度使其非常适合使用Intel®的Skylake平台的计算平台。器件还适用于工业PC和用在网络和工业应用中的大电流多相模块。

现在的移动计算和桌面计算平台需要比前一代产品更大的电流,同时要求面积和尺寸要比以往更小。今天推出的4.5mm x 3.5mm PowerPAK MLP55-31L封装的集成器件可输出最高30A的连续电流,5mm x 5mm PowerPAK MLP55-31L封装的器件可输出40A连续电流。除了能输出大电流和节省占位面积,这些功率级还减小了封装寄生参数,使开关频率最高能达到2MHz,从而减小输出滤波器的尺寸,进一步缩小了整个方案的尺寸和高度。为提高性能,器件的高边和低边MOSFET使用Vishay目前最好的Gen IV TrenchFET®技术,来减少开关和传导损耗。功率级的驱动IC兼容众多PWM控制器,支持5V的三态PWM逻辑电平。

SiC530、SiC531、SiC532、SiC631和SiC632适用于同步降压转换器、DC/DC电压稳压模块、CPU和GPU的多相VRD,以及存储器。为在这些应用里提高轻负载效率,器件的驱动IC带有二极管调制模式电路和零电流检测电路。自适应死区时间控制有助于在所有负载点下进一步提高效率。为支持IMVP8的PS4模式轻负载要求,当系统在待机模式下运转时,功率级会把电流降到5μA,而且可以在5μs内从这种状态中唤醒。器件符合RoHS,无卤素,具有欠压锁定 (UVLO)等保护功能。

器件规格表:

封装

产品编号

连续电流 (A)

最大电流 (A)

输入电压 (V)

PS4

PowerPAK® MLP4535-22L
(4.5 mm x 3.5 mm)

SiC530

30

40

4.5 ~ 18

Yes

SiC531

25

35

4.5 ~ 24

No

SiC532

25

35

4.5 ~ 24

Yes

PowerPAK MLP55-31L
(5 mm x 5 mm)

SiC631

40

50

4.5 ~ 24

Yes

SiC632

40

50

4.5 ~ 24

No


功率级现可提供样品,并已实现量产,供货周期为十周。

公司信息: