英飞凌推出第五代1200V thinQ!碳化硅肖特基二极管

英飞凌科技股份公司推出第五代1200V thinQ!™碳化硅肖特基二极管,进一步扩展了碳化硅产品阵容。新的1200V碳化硅二极管在工作温度范围内提供超低正向电压,其浪涌电流承受能力提高了一倍以上,并且具备卓越的散热性能。得益于这些特性,该产品可以在太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、三相SMPS(开关电源)和电机驱动等应用中大大提高效率,并且可靠运行。

“第五代”碳化硅二极管采用了新的紧凑式芯片设计,将PN结设计融合到肖特基二极管单元场中。这种设计降低了芯片区的微分电阻。因此,二极管损耗比之上一代产品降低了多达30%,譬如在20 kHz频率上以满负荷工作的三相太阳能逆变器的前端升压级中。

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科锐推出更高性能碳化硅肖特基二极管

科锐CPW5 Z-Rec®二极管扩展碳化硅在兆瓦级系统市场中的应用,提升效率并降低成本

科锐(Nasdaq: CREE)宣布推出新款CPW5 Z-Rec®高功率碳化硅肖特基二极管以及业界首款商业化量产50A碳化硅整流器。新款二极管产品经过优化设计,使得碳化硅技术能够在50kW至超过1MW的高功率系统中得到应用,从而带来成本降低、效率提高、系统简化和可靠性提升。新产品适合于包括太阳能光伏逆变器、工业用电源、感应加热、充电基站、风机变流器、牵引逆变器等应用。

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科锐推出封装型1700V碳化硅肖特基二极管

该肖特基二极管从根本上消除了反向恢复损耗该肖特基二极管从根本上消除了反向恢复损耗扩大了碳化硅对于分立器件设计低功率系统的优势,可替代大范围功率级硅二极管
科锐公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出全新系列封装型二极管。在现有碳化硅肖特基二极管技术条件下,该系列二极管可提供业界最高的阻断电压。科锐1700V Z-Rec®肖特基二极管从根本上消除了硅PiN二极管替代品中存在的反向恢复损耗,能够使系统实现超高效率并且更小、更轻,同时提高了整体的可靠性。此次发布的全新封装产品采用1700V Z-Rec技术,进一步提升分立器件设计低功率应用的性能并且节约系统成本。

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科锐新型1200V Z-Rec™碳化硅肖特基二极管提高太阳能微型逆变器能源效率

其开关频率较传统以硅为材料的解决方案可高出5倍至8倍其开关频率较传统以硅为材料的解决方案可高出5倍至8倍科锐目前推出可在2A,5A, 8A和10A额定电流下工作的TO-252 D-Pak 器件
科锐公司 (Nasdaq: CREE) 继续其在碳化硅功率器件向主流功率应用的推广。与硅功率器件相比,科锐先进的碳化硅技术可降低系统成本、提高可靠性,并为能源效率建立新的标准。科锐公司最新推出的1200V Z-Rec™ 碳化硅肖特基二极管产品均采用行业标准的TO-252 D-Pak表面贴装封装,提供额定电流分别为2A,5A,8A 和 10A的表面贴装器件。科锐公司是目前世界上首家提供使用D-Pak表面贴装封装的可应用于全范围额定电流的商用1200V碳化硅肖特基二极管制造商。如太阳能微型逆变器等系统设计人员现在能拥有更多的选择来研发出更小、更轻以及成本更低的电源转换电路。新型表面贴装器件以更小的 PCB 尺寸和面积,并具备与科锐 TO-220 肖特基二极管相同的性能。

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助力高能效数据中心电源系统设计,Cree 推出新型650V 碳化硅肖特基二极管

碳化硅肖特基二极管碳化硅功率器件领域的市场领先者 Cree 公司 (Nasdaq: CREE) 日前宣布推出最新Z-Rec™650V 结型肖特基势垒 (JBS) 二极管系列,以满足最新数据中心电源系统要求。新型 JBS 二极管的阻断电压为 650V,能够满足近期数据中心电源架构修改的要求。据行业咨询专家估算,这样可以将能效提高多达 5% 。由于数据中心的耗电量几乎占全球年耗电量的 10%,任何水平的能效提升都会有助于大幅降低总体能耗。

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