【视频】功率MOSFET和热建模

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专注性能提升!Vishay推新款VRPower®集成式DrMOS功率级解决方案

这些器件节省空间,连续电流为30A和40A,采用4.5mm x 3.5mm和5mm x 5mm PowerPAK®封装,适用于移动计算平台
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,为满足下一代笔记本电脑、超便携笔记本和桌面PC对大电流、高效率和高功率密度的性能需求,推出5款新的VRPower®集成式DrMOS功率级解决方案---SiC530SiC531SiC532SiC631SiC632,可用于多相POL稳压器。

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东芝面向汽车应用推出40V N沟道低导通电阻功率MOSFET

产品阵容中新增可以降低导通损耗和电磁干扰的新产品
东芝公司(TOKYO: 6502)旗下半导体与存储产品公司今日宣布面向直流-直流转换器、电动助力转向系统(EPS)大容量电机驱动器和半导体继电器等汽车应用推出40V N沟道功率MOSFET。MOSFET产品阵容的最新产品“TKR74F04PB”出货即日启动。

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MOSFETs驱动感应负载(第二部分)

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MOSFETs驱动感应负载(第一部分)

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Diodes高精度单芯片保护集成电路 适合单芯锂离子电池组

Diodes公司新推出的AP9234L集成电路提供丰富的保护功能,旨在为单芯锂离子电池组及锂聚合物可充电电池组提供高精度的单芯片解决方案。新产品主要针对智能手机、相机以及同类型消费性电子产品的电池保护电路模块生产商。AP9234L把高精度电池保护电路与双N通道共漏极MOSFET集成起来,后者具有超低的Rss(ON) 规格,在VDD = 4.0V及ID = 1.0A的情况下一般仅为13mΩ。

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意法半导体的微控制器和功率半导体获丰田汽车采用,用于开发新一代普税斯的电压转换器

意法半导体的芯片与汽车厂商的软件系统相互搭配,实现了高能效的电压转换和低散热特性,进而协助动力控制单元微型化
意法半导体宣布其32位微控制器和功率MOSFET获丰田汽车(Toyota)采用,用于开发新一代普税斯的DC-DC转换器。新一代普税斯是第四代混合动力汽车。DC-DC转换器是被称作混合动力汽车(hybrid electric vehicle)心脏的动力控制单元的基本组件,还被用于逆变器和可变电压系统(variable-voltage system)。

Diodes DFN2020封装P通道MOSFET 降低负载开关损耗

Diodes公司新推出的DMP1022UFDF及DMP2021UFDF P通道MOSFET采用了设计小巧的2mm x 2mm DFN2020封装,分别提供12V和20V的额定值。新产品适用于追求高效电池管理的平板电脑、智能手机、超极本等便携式消费性电子产品的负载开关,以及物联网的应用。两款MOSFET在低栅极驱动情况下提供低导通电阻,有效满足那些希望用简易的方法关闭低压电源轨的电路设计人员。这还确保低至1.5V的电源轨能够以最低通损耗进行开关。

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“助攻”电源设计:900V SiC MOSFET导通电阻创新低!

CREE推出了900V MOSFET:C3M0065090J。凭借其新突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术,该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进行了优化。超越同样成本的Si 基方案,能够实现下一代更小尺寸、更高效率的电力转换系统,并大幅降低了系统成本。C3M0065090J突破了电力设备技术,是开关模式电源(spm)、电池充电器、太阳能逆变器,以及其他工业高电压应用等的电源管理解决方案。

世强代理的该900V SiC具有更宽的终端系统功率范围,能满足不断演变的新型应用市场中的设计挑战,更高直流母线电压也同样适用。在25°C条件下,C3M0065090J拥有目前市面上最低的65mΩ的额定导通电阻;当温度高至150°C时,也可保证导通电阻只有90mΩ,这能有效降低功率损耗,并缩减热管理系统的尺寸。从而进一步减少电源设计者们的创新限制,有助于实现尺寸更小、速度更快、温度更低、效率更高的电源方案。

更小、更快、更酷、更高效,900V SiC MOSFET在PFC中的应用

图片说明Wolfspeed推出900V SiC MOSFET系列产品,拓展了高频电力电子应用的范围。相比于相当于硅MOSFET,这一突破900V SiC使我们的产品的新市场通过扩大我们在终端系统解决功率范围。该系列产品提供了更高的开关速率和更低的开关损耗,从而为电力电子工程师们提供了设计出更小,更快,更酷,更高效的电源解决方案可能。世强代理的新的900V SiC MOSFET系列产品极大的扩大了产品应用空间,能够更好的应对不断发展变化的应用领域,更高的直流母线电压可以覆盖250V-450V的应用领域。

保护升压负载及其电源

作者:Daniel Braunworth, Eric Leex (德州仪器)
鉴于工程师对电源保护要求的重视,升压转换级可通过在本地负载上获得的高压来提供系统优势。输出短路故障、过载条件、其它故障条件、以及启动时的高电容会严重增加输入电源负担,或者使输入电源出现故障,以及损坏负载。负载本身的要求十分苛刻,甚至需要比主输入电源提供的电压还要高的电压。这些条件和要求导致输入电源过度设计或负担过重,特别是在需要升压负载时更是如此。

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意法半导体推出世界首款1500V超结功率MOSFET,实现更环保、更安全的电源应用

意法半导体的新系列功率MOSFET让电源设计人员实现产品效能最大化,同时提升工作稳健性和安全系数。MDmeshTM K5产品是世界首款兼备超结技术优点与1500V漏源(drain-to-source)击穿电压(breakdown voltage)的晶体管,并已赢得亚洲及欧美主要客户用于其重要设计中。

Vishay 600V E系列MOSFET利用Kelvin连接来实现更好的性能

节省空间的MOSFET可替换TO-253 (D2PAK)封装的器件,适用于通信、服务器、计算机、照明和工业应用

日前,Vishay Intertechnology宣布,推出采用小尺寸PowerPAK 8x8封装的600V E系列功率MOSFET---SiHH26N60ESiHH21N60ESiHH14N60ESiHH11N60E。新的Vishay Siliconix SiHH26N60ESiHH21N60ESiHH14N60ESiHH11N60E有一个实现低热阻的大尺寸漏极端子和在源极的Kelvin连接。超薄表面贴装PowerPAK 8x8封装符合RoHS,无卤素,完全无铅,可替换传统的TO-220和TO-263封装的产品,达到节省空间的效果。

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意法半导体的60V功率MOSFET为提高同步整流电路能效量身定制

意法半导体的槽栅结构低压MOSFETs STripFET F7系列将新增60V的产品线,可协助电信、服务器和台式PC机的电源以及工业电源和太阳能微逆变器的直流-直流(DC/DC)电源转换器达到严格的能效标准要求,最大限度提升电源功率密度。

STripFET F7 MOSFET不仅大幅提高了晶体管的导通能效和开关性能,还简化了通道间的槽栅结构(trench-gate structure),实现极低的导通电阻、电容和栅电荷量,并取得优异的品质因数(RDS(ON) x Qg)。此外,本征体二极管的恢复电荷(recovery charge)很低,有助于提高开关性能。高雪崩耐量确保在恶劣条件下保持性能稳健,反向传输电容对输入电容(Crss/Ciss)的比值低,有助于强化抗电磁干扰(EMI immunity)。

意法半导体推出新款600V MDmesh M2 EP产品


意法半导体MDmesh M2系列的N-沟道功率MOSFETs再增添新成员,新系列产品能够为服务器、笔记本电脑、电信设备及消费电子产品电源提供业内最高能效的电源解决方案,在低负载条件下的节能效果尤为显著,让设计人员能够开发更轻、更小的开关式电源,同时轻松达到日益严格的能效目标要求。

新款600V MDmesh M2 EP产品整合意法半导体经过市场检验的条形布局(strip layout)和全新改进的垂直结构和优化的扩散工艺(diffusion process),拥有接近理想的开关设计,包括超低的导通电阻和最低的关断开关损耗,是特别为甚高频功率转换器(f>150 kHz)专门设计,为要求最严格的电源供应器(PSU, Power Supply Unit)的理想选择。

全新英飞凌功率MOSFET系列使电动工具更紧凑耐用

2015年9月1日,德国慕尼黑讯—DIY工具,比如无线电钻和电锯必须方便使用且经久耐用。因此,其所用的电子元件必须紧凑、坚固。英飞凌科技股份公司扩展StrongIRFET™ Power MOSFET产品系列,推出同时满足紧凑和耐用要求的解决方案。新推出的逻辑电平 StrongIRFET™ 器件可以直接由单片机驱动,节省空间和降低成本。此外,StrongIRFET™十分坚固耐用,帮助延长电子产品的使用寿命。

英飞凌新一代CoolMOS可减少50%的开关损耗; 专用EiceDRIVER IC 可进一步节省空间和设计成本

英飞凌推出全新的CoolMOS™ C7系列超结(SJ)MOSFET家族。该600 V系列相比CoolMOS™ CP可减少50%的开关损耗,在PFC、TTF和其他硬切换拓扑结构中可实现和GaN类似的性能水平。CoolMOS C7在业内率先实现1 Ω/mm2的面比电阻(RDS(ON)*A),它进一步扩展了英飞凌的最低每封装RDS(ON)产品组合,可支持客户进一步提高功率密度。全新CoolMOS系列具备超低开关损耗,适合大功率开关电源(SMPS)应用——比如服务器、电信、太阳能以及需要提高效率、降低组件成本(BoM)和总拥有成本(TCO)的工业应用。

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东芝发布汽车用低导通电阻功率MOSFET

降低传导-能够降低传导损耗的-40V P-ch MOSFET加入产品阵容

东芝推出一款汽车用-40V P-ch功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。作为MOSFET系列的最新产品,“TJ200F04M3L”即日起开始出货。

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Vishay新款 20V MOSFET可显著提高便携式电子产品的功率密度和可靠性

器件具有25A的连续漏极电流和2500V ESD保护能力,采用PowerPAK® SC-70封装,占位面积为2mm x 2mm

Vishay推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK SC-70®封装的新款20V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA466EDJ。Vishay Siliconix SiA466EDJ的占位面积为2mm x 2mm,具有业内最高的封装限制电流,可使便携式电子产品实现更高的功率密度和可靠性。它同时也是业内唯一具有±20V的额定VGS,提供集成ESD保护功能的此类器件。

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Diodes为手机及便携式设备充电器 推出高效率同步整流控制器

Diodes推出同步整流控制器APR343,旨在满足手机及其他便携式电子设备充电器对高度集成的高效实惠解决方案的要求。该器件把输出电压感测功能集成到副边侧MOSFET驱动器,以支持原边侧控制系统。

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