飞思卡尔推出新款Airfast射频功率LDMOS晶体管,一个器件上可支持700 MHz至2700 MHz的频段

外形小巧的AFT27S006N和AFT27S010N射频晶体管是业界首款覆盖所有主要蜂窝频段的器件,同时提供 20 dB至24 dB的增益性能

飞思卡尔半导体(NYSE:FSL)日前推出了两款全新的Airfast射频功率解决方案,覆盖了所有主要的蜂窝基础设施频段,这两款解决方案均采用小巧的封装,却具有业界领先的增益性能。AFT27S006N的峰值功率为6 W,是继广受欢迎的MW6S004N产品(MW6S004N产品已经成为业界的主力驱动器,广泛应用于世界级无线基础设施中)后推出的新一代器件。此外,飞思卡尔还为该系列添加了一个称为AFT27S010N的大功率器件,其峰值功率为10W。

英飞凌面向航空电子设备和雷达系统脉冲应用推出具备高功率密度和高可靠性的射频功率LDMOS晶体管

高功率密度和高可靠性的射频功率LDMOS晶体管高功率密度和高可靠性的射频功率LDMOS晶体管英飞凌科技推出用于商业航空电子设备和雷达系统的脉冲应用和其他类型工业放大器的高功率晶体管。基于全新的50V LDMOS工艺技术,全新推出的器件具备高能效、适用于小型化系统设计的高功率密度和称雄业界的可靠性。
  
PTVA家族的首批产品包括两套成对的驱动和输出晶体管——具备400W和500W输出功率,适用于L频段和UHF频段雷达系统——和一个适用于965 MHz 至1215 MHz商用航空电子设备频率的应用的1000W器件。每个器件最低都能承受10:1 VSWR(电压驻波比)负载失配,其可靠性是同类器件的两倍。

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飞思卡尔新的射频功率LDMOS晶体管与其上一代产品相比输出功率提高39%!

MRFE6VP8600H具有更高的RF输出和效率可帮助简化发射器设计并提高可靠性MRFE6VP8600H具可帮助简化发射器设计并提高可靠性新的MRFE6VP8600H在完整UHF频段上带来最佳的输出功率、效率和耐用性
飞思卡尔半导体 (NYSE:FSL)宣布推出RF功率LDMOS晶体管,该产品结合了业界最高的输出功率、效率和其同类竞争器件中最强的耐用性,专门面向UHF广播电视应用而设计。

LDMOS晶体管耐用性和可靠性研究

LDMOS晶体管耐用性和可靠性LDMOS晶体管耐用性和可靠性耐用性是射频应用领域中最重要的一项可靠性参数。恩智浦的第6代LDMOS晶体管几乎达到不可损坏的程度。在名为《LDMOS晶体管耐用性和可靠性》的技术文章中,恩智浦的技术专家详细介绍了具体技术细节,查阅全文请点击链接并下载。

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