Qorvo公司荣获2015年《电子产品世界》编辑推荐奖

Qorvo公司是一家领先的移动设备、基础设施与航空航天、国防应用中核心技术及RF解决方案供应商。12月11日星期五,该公司产品GaN有线电视功率放大器RFPD9950 在2015年《电子产品世界》编辑推荐奖评选中获得最佳功率放大器奖项。Qorvo此次的获奖产品RFPD9950 为经济型高性能GaN有线电视功率放大器,可以满足系统的未来升级需求。借助这款有线电视功率放大器,有线电视设计可以达到严格的系统要求,同时还能使总功耗降低达20%。

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Ampleon 整体射频电源全球业务运作

Ampleon公司宣布,北京建广资产有限公司成功收购恩智浦半导体的RF电源业务后,建立Ampleon公司的全球业务运作。Ampleon公司负责整体射频(RF)电源业务活动,包括LDMOS和GaN RF电源产品的销售和支持,立即生效。Ampleon公司在世界各地的16个工程技术、销售和制造设施拥有1,250名员工,公司总部位于荷兰奈梅亨,凭借50多年的产品创新和卓越工程实力而建立。Ampleon首席执行官ReinierBeltman评论道:“通过专注于RF电源技术和创新,我们拥有了极好条件,以满足对提高功率、成本和空间效率的RF解决方案不断增长的市场需求。

结合AMO技术 GaN实现高效率/高频宽调变

作者:Raymond Pengelly/Ryan Baker/Mattias Astrom/Joel L. Dawson (Raymond Pengelly与Ryan Baker任职于科锐,Mattias Astrom和Joel L. Dawson任职于Eta Device)

随著无线通讯频宽、使用者人数和地理覆盖范围的扩增,基地台发射器对更高效率功率放大器(PA)部分的需求是越来越强劲。

氮化镓已为数字电源控制应用做好准备

在英语里,“ready”是很有意思的一个词,它在不同的语境下会有完全不同的意思。有一大屋子女儿时,“ready”的意思就是为做好准备而准备;而准备的时间绝不会少于30分钟。在飞机上,“ready”就是把手机收起来的意思;最后,我们终于可以起飞了。

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GaN(氮化镓)将推动电源解决方案的进步

作者:Michael Seeman,德州仪器 Dave Freeman,德州仪器

实现更加高效的电力转换是应对当前增长的人口和能源需求的一个关键技术目标。

能够有效推动这一目标达成的重要创新就是在电源应用中使用氮化镓 (GaN)。GaN是一种已经成熟的半导体材料,广泛应用于LED照明,并在无线应用中发挥越来越重要的作用。目前,随着工艺的进步和缺陷率的不断降低,GaN在交直流电力转换、改变电压电平、并且以一定数量的函数确保可靠电力供应的电子电源中的优势越来越明显。

TI加快GaN技术的推广应用

在德州仪器不断推出的“技术前沿”系列博客中,一些TI全球顶尖人才正在探讨目前最大的技术趋势以及如何应对未来挑战等问题。

相较于以往使用的硅晶体管,氮化镓 (GaN) 可以让全新的电源应用在同等的电压下以更高的转换频率运行。这意味着,在同样的条件下,GaN可实现比基于硅材料的解决方案更高的效率。

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英飞凌将与松下电器联袂,双双推出常闭型600V GaN功率器件

英飞凌和松下电器宣布,两家公司已达成协议,将联合开发采用松下电器的常闭式(增强型)硅基板氮化镓(GaN)晶体管结构,与英飞凌的表贴(SMD)封装的GaN器件。在此背景下,松下电器向英飞凌授予了使用其常闭型GaN晶体管结构的许可。按照这份协议的规定,两家公司均可生产高性能GaN器件。由此带来的益处是客户可以从两条渠道获得采用可兼容封装的GaN功率开关。迄今为止,没有任何其他硅基板GaN器件提供了这样的供货组合。双方商定不披露任何其他合同细节。

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富士通半导体推出耐压150V的GaN功率器件产品

氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A有助于提供尺寸更小、效率更高的电源芯片产品,适用范围涉及电信、工业设备、汽车电子等
富士通半导体(上海)有限公司今日宣布,推出基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A,该芯片可耐压150 V。富士通半导体将于2013年7月起开始提供新品样片。该产品初始状态是断开(Normally-off),相比于同等耐压规格的硅功率器件,品质因数(FOM)可降低近一半。基于富士通半导体的GaN功率器件,用户可以设计出体积更小,效率更高的电源组件,可广泛的运用于ICT设备、工业设备和汽车电子等领域。

TriQuint加速了氮化镓的供应速度,推出卓越新产品和代工服务

TriQuint半导体(纳斯达克代码:TQNT),今天发布了15款新型氮化镓( GaN )放大器和晶体管以及两套全新的氮化镓工艺。这些产品为通讯系统提供了性能、尺寸和耐用性的优势。

TriQuint公司中国区总经理熊挺指出由于TriQuint的工艺和产品解决方案的发展, 使得射频制造商更容易获取氮化镓的性能和优势。熊挺表示:“此项新发布也显示TriQuint加速了其创新的步伐。除了三套由包装、装配及测试服务支持的氮化镓工艺外,客户还能获取更多其它世界一流的产品。TriQuint全面解决最苛刻的射频要求,能够灵活地支持所有的客户。”

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IR开始商业装运氮化镓器件

IR开始商业装运氮化镓器件IR开始商业装运氮化镓器件国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 近日宣布已经为一套家庭影院系统测试并装运了基于其革命性氮化镓 (GaN) 功率器件技术平台的产品。这套家庭影院系统是由一家业界领先的消费电子产品公司所生产。

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TriQuint推出具有卓越增益的新氮化镓晶体管,可使放大器尺寸减小50%

T1G6003028-FS提供30W的输出功率T1G6003028-FS提供30W的输出功率TriQuint半导体公司(纳斯达克代码:TQNT),推出四款具有卓越增益和效率,并且非常耐用的新氮化镓 (GaN) HEMT 射频功率晶体管产品。TriQuint的氮化镓晶体管可使放大器的尺寸减半,同时改进效率和增益。这些新的氮化镓晶体管可在直流至6 GHz宽广的工作频率上提供30-37W (CW) 射频输出功率。它们是商业通信和测试设备系统等类似的宽带系统应用的理想选择。

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富士通半导体明年计划量产氮化镓功率器件满足高效电源单元供应市场需求

GaN功率器件实现2.5kW的高输出功率GaN功率器件实现2.5kW的高输出功率可使服务器电源单元实现2.5kW的高输出功率
富士通半导体(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率,富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用,对实现低碳社会做出重大贡献。

科锐发布Verilog-A无线射频器件模型,加速GaN在4G/LTE电信基础设施领域的采用

科锐发布Verilog-A无线射频器件模型科锐发布Verilog-A无线射频器件模型科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出适用于 GaN 无线射频器件的全新Verilog-A非线性器件模型,该模型专为安捷伦的 ADS 以及 AWR 的 Microwave Office 等领先无线射频设计平台而研发。全新器件模型能够支持更为复杂的电路仿真,包括最新宽带调制包络分析和4G 蜂窝通信的多模式无线射频功率放大器。

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科锐推出突破性GaN基固态放大器平台

新型碳化硅衬底氮化镓裸芯片产品提高效率和可靠性新型碳化硅衬底氮化镓裸芯片提高效率和可靠性突破性的技术实现传统方案两倍的效率
科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率与带宽性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅衬底氮化镓基(GaN-on-SiC)裸芯片产品系列。该创新型产品系列能够使得固态放大器替代行波管,从而提高效率和可靠性。

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RFMD用于65V操作的GaN功率半导体工艺技术通过认证,可提供代工服务

RFMD65VGaN1工艺技术的MTTF为4300 万小时RFMD65VGaN1工艺技术的MTTF为4300 万小时代工客户目前可通过RFMD 代工服务业务部门获得高可靠性的65V GaN 处理技术
RFMicro Devices, Inc.(Nasdaq GS股市代号:RFMD)日前宣布,其用于 65V 操作的GaN1 功率半导体处理技术已通过认证。这种高可靠性的功率半导体工艺技术支持 RFMD 基于 GaN 的功率半导体产品设计,代工客户可通过 RFMD 代工服务业务部门获得该技术。

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瑞萨电子:“通过投放GaN功率放大器在化合物半导体市场上成为顶级供应商”

  瑞萨电子10月7日在东京总部面向新闻媒体介绍了化合物半导体业务的方针。合并前,该业务由原NEC电子经营,原瑞萨科技并未涉足。因此没有需要消除的重复业务。

  瑞萨以“微控制器”、“SoC”、“模拟&功率半导体”三项业务为主力业务。化合物半导体业务由模拟&功率半导体业务本部的化合物元件业务部负责。该业务部的销售额约占模拟&功率半导体业务本部整体的1/6。

  出席发布会的细野泰宏(模拟&功率半导体业务本部化合物元件业务部长)表示,2010年度化合物半导体的全球市场规模为4130亿日元(该公司的推断)。预计今后将以8%/年的速度增长,到2012年度将达到4795亿日元(图1)。在市场以8%/年的速度增长的情况下,“瑞萨的化合物半导体业务将以11%/年的速度增长”(细野)。

  目前,该公司在化合物半导体中的高频开关IC和GaAs低噪声FET领域的市场份额位居第一,在光存储和光电耦合器领域的市场份额位居第二。不过,在市场整体的位置为第四位。其原因是,瑞萨没有投产在化合物半导体市场上占很大比例的功率放大器。“要想成为顶级供应商,必须经营形成市场的所有主要产品”(执行董事兼模拟&功率半导体业务本部长宫路吉朗)。

介绍了三项措施

“致力于低耐压产品”,罗姆公布功率元件用GaN类HEMT的开发情况

罗姆公布了面向功率元件用途的GaN类HEMT的开发情况。该公司以前一直致力于开发耐压600V的产品,“曾推出过耐压600V以上的SiC制功率元件,今后将致力于开发100V以下的低耐压产品”。

  在会场上,罗姆让Si制MOSFET产品和新开发产品进入工作状态,对两者的开关特性进行了比较。展示了与MOSFET相比,新开发产品可高速导通/截止的情形。演示中,开发产品的开关频率为2.5MHz,输出电流为15A。在相同开关频率下,“具有可流过25A的实力”。将来以实现10MHz以上的开关为目标。

  另外,目前阈值电压为-3.5V,可实现不施加栅极电压也会导通的“常开动作”。今后还将力争实现常关动作

SiC和GaN可将电力损失减半

如果利用GaN及SiC功率半导体,可将电力损失减半。 因在高温下工作,可缩小冷却设备,有助于实现设备的小型化。 不仅是大型设备,还将在个人电脑等小型设备上普及。

GaN(氮化鎵)电源管理芯片市场将快速增长

氮化鎵(GaN)电源管理半导体作者:MARIJANA VUKICEVIC
据iSuppli公司研究,由于高端服务器、笔记本电脑、手机和有线通讯领域的快速增长,氮化鎵(GaN)电源管理半导体市场到2013年预计将达到1.836亿美元,而2010年实际上还几乎一片空白。GaN是面向电源管理芯片的一种新兴工艺技术,最近已从大学实验阶段进入商业化阶段。该技术对于供应商来说是一个有吸引力的市场机会,它可以向它们的客户提供目前半导体工艺材料可能无法企及的性能。

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IR氮化镓 (GaN) 功率器件带动功率技术革命,但IR无意授权该技术

国际整流器公司环球市场及企业传传信副总裁Graham Robertson30多年前,国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) IR公司的Alex Lidow和Tom Herman发明了HEXFET,这是全球第一款采用六面单元结构的功率MOSFET ,HEXFET的面世催生了MOS功率晶体管行业。30年后,IR宣布推出的基于氮化镓 (GaN) 功率器件技术平台的业界首个商用集成功率级产品将再次引发功率技术的新突破,这个IR 5年精心研究的成果预计将带动功率电子领域架构和控制方案的全新革命。

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