MACOM推出MAGb系列氮化镓功率晶体管

新的MAGb系列氮化镓功率晶体管提供世界优秀性能,LDMOS产品成本水平;
MACOM可向客户提供样品

MACOM日前宣布推出其备受瞩目、应用于宏基站的MAGb系列氮化镓(GaN)功率晶体管。借助于第四代氮化镓的技术优势,MACOM的MAGb系列是针对无线基站而优化并商用的氮化镓产品系列,在效率、带宽和增益上都已达到世界优秀水平,成本水平与LDMOS产品相当。MACOM更有望在量产的情况下实现低于LDMOS产品的成本。
MAGb系列功率晶体管面向主流的1.8GHz到3.8GHz蜂窝应用频段。系列首批产品包括小型封装的峰值功率可达400W的单端晶体管,双功率管和峰值功率高达700W的对称/非对称Doherty架构的功率管。

Ampleon现在为HF、VHF和ISM应用提供极稳固LDMOS RF功率晶体管

Ampleon宣布推出全面广泛的模压塑料(overmoulded plastic, OMP) RF功率晶体管产品组合,采用众所周知的非常稳固LDMOS技术。

BLP05H6xxxXR系列功率晶体管面向广播和ISM发射器或发电机制造商,瞄准FM/VHF无线电和电视广播,以及工业、科学和医疗RF功率发生器。该系列晶体管功率范围从35W直至700W CW (连续波),所有这些“同级最佳”极稳固RF功率晶体管使用相同的SOT1223封装外形,并且可以用于從高頻 (HF) 至600MHz频率范围的任何RF功率应用。

Ampleon 整体射频电源全球业务运作

Ampleon公司宣布,北京建广资产有限公司成功收购恩智浦半导体的RF电源业务后,建立Ampleon公司的全球业务运作。Ampleon公司负责整体射频(RF)电源业务活动,包括LDMOS和GaN RF电源产品的销售和支持,立即生效。Ampleon公司在世界各地的16个工程技术、销售和制造设施拥有1,250名员工,公司总部位于荷兰奈梅亨,凭借50多年的产品创新和卓越工程实力而建立。Ampleon首席执行官ReinierBeltman评论道:“通过专注于RF电源技术和创新,我们拥有了极好条件,以满足对提高功率、成本和空间效率的RF解决方案不断增长的市场需求。

飞思卡尔推出全新的射频功率LDMOS放大器

飞思卡尔半导体日前推出了两款全新的宽带射频功率放大器 - 新款Airfast AFIC901N LDMOS射频集成器件和AFT05MS003N LDMOS晶体管。这两款产品的运行电压为3.6V或7.5V,主要适用于无线电传输范围的功耗和电池使用寿命的高效性为重要设计要求的应用。
例如,移动无线电系统正在从模拟向数字化调制方案过渡,这通常需要无线电的重新设计。

覆盖TD-SCDMA双频段的大功率330W LDMOS

图片说明 英飞凌推出了可以覆盖TD-SCDMA 两个频段的大功率330W LDMOS,器件型号为PXAC203302FV。世强代理的该器件适用于1880-2025MHz频段,可以用于基站多载波射频功率放大器。PXAC203302FV采用非对称Push-Bull结构,载波功放130W,峰值功放200W,在非对称Doherty功放中可以实现更高的效率。

飞思卡尔发布LDMOS首批 11个射频功率产品,适用于美国国防市场应用

所有11个器件都包含在飞思卡尔产品长期供货计划内,保证10年或更长时间的产品供应

飞思卡尔半导体(NYSE:FSL)日前宣布11个全新商用的射频功率LDMOS产品全面上市,这个产品可满足美国国防电子产品应用的要求,这是 2013年6月公布的公司射频功率业务战略防御计划发布的首套产品。

恩智浦推出超耐用LDMOS射频功率晶体管 BLF188XR

广受欢迎的XR系列射频功率晶体管的最新成员,适合最恶劣的工程环境

恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(纳斯达克代码:NXPI)今日推出BLF188XR – 其XR系列“超耐用” LDMOS 射频功率晶体管的最新成员。BLF188XR专为最严酷的工程环境而设计,真实条件下耐用性更强, 能够在5dB压缩点承受超过65:1驻波比的严重负载失配。BLF188XR能提供出色的1600 W峰值输出功率,其工作电压可高达60 V,并且仍能通过极为严格的耐用性测试。其他主要特性包括:更强大的集成ESD保护,能使BLF188XR用于C类操作模式;几种增强型功能,能使XR系列器件在多种应用中易于设计和调试。

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飞思卡尔加大对RF地面移动市场的投入并推出新的产品系列

Airfast RF功率解决方案通过新型LDMOS和GaN功率晶体管产品提供卓越性能和业界领先的耐用性

飞思卡尔半导体(NYSE:FSL)日前宣布为其Airfast RF功率解决方案旗舰系列推出了多个最新成员:包括三个LDMOS功率晶体管和一个氮化镓(GaN) 晶体管,所有产品均超越了严格的地面移动市场要求,具有超强耐用性。

新款飞思卡尔射频功率晶体管将耐用性、频率范围与宽带能力完美结合

25 W 的MRFE6VS25N和100 W 的MRFE6VP100H25 W 的MRFE6VS25N和100 W 的MRFE6VP100H宽带射频功率LDMOS FET 支持HF到L波段范围为1MHz-2GHz的应用
为了满足市场对射频功率器件增强耐用性和在广泛的频率范围进行宽带运行的需求,飞思卡尔半导体公司(NYSE:FSL)推出了两款功能丰富的器件,旨在为采用LDMOS处理技术制造的射频功率产品提供新级别的线性和耐用性。

ST推出新系列射频功率芯片,拥有更高的功率饱和功能

LET系列RF晶体管采用ST最新的STH5P LDMOS制造技术LET系列RF晶体管采用ST最新的STH5P LDMOS制造技术强化的宽带放大器先进技术以更经济实惠的价格实现更高的无线系统性能
意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出新系列射频(RF)功率晶体管。新系列产品采用先进技术,为政府通信、用于紧急救援的专用移动无线电系统以及L波段卫星上行设备等要求苛刻的重要应用领域提高无线通信系统的性能、稳健性及可靠性。

飞思卡尔使用新型Airfast RF功率解决方案提升传统LDMOS产品

Airfast系列是飞思卡尔推出的下一代RF LDMOS产品Airfast系列是飞思卡尔推出的下一代RF LDMOS产品拥有领先市场份额的飞思卡尔推出下一代RF功率器件,旨在树立新的无线性能标尺
飞思卡尔半导体 (NYSE: FSL)日前推出新型Airfast RF功率解决方案,旨在为全球无线基础设施设备制造商提供RF功率产品,将性能和能效提升至新的高度。

飞思卡尔推出覆盖全部无线基站频段的RF功率LDMOS晶体管

LDMOS晶体管高效率、宽瞬时带宽允许网络运营商降低运营和资本支出并改善网络灵活性
飞思卡尔半导体日前推出两个LDMOS RF功率晶体管,允许无线基站放大器覆盖整个分配频带中的所有通道。 这两个高效率晶体管有助于降低运营和资本支出,它们的宽瞬时带宽允许网络运营商改善网络的灵活性。

飞思卡尔半导体面向多载波无线基站推出3款新型RF LDMOS功率晶体管

3款新型RF LDMOS功率晶体管在1800和1900MHz无线频段中三个LDMOS晶体管实现出众的性能
飞思卡尔半导体推出3款新型RF LDMOS功率晶体管,提供在无线基站收发器里使用Doherty多载波功率放大器(MCPA)要求的超高输出电平。

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射频工程师应该知道的LDMOS基础知识

LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor;横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHz蜂窝电话技术开发的,蜂窝通信市场的不断增长保证了LDMOS晶体管的应用,也使得LDMOS的技术不断成熟,成本不断降低,因此今后在多数情况下它将取代双极型晶体管技术。与双极型晶体管相比,LDMOS管的增益更高,LDMOS管的增益可达14dB以上,而双极型晶体管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右。这表明对于相同的输出功率需要更少的器件,从而增大功放的可靠性。

飞思卡尔推出针对TD-SCDMA 无线网络的RF功率器件和参考设计

LDMOS  RF功率晶体管飞思卡尔半导体引入两个末级LDMOS RF功率晶体管,为设计人员提供介于分离式和集成式电路解决方案之间的选择。此选择随同提供两个参考设计,为设计人员带来更好的灵活性,并且有助于缩短上市时间。新晶体管经过优化,用于基于时分同步码分多址技术(TD-SCDMA)的功率放大器。而TD-SCDMA则是目前中国国内广泛部署的第三方无线标准,同时其他市场也正在考虑使用该技术。