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英特尔携手美光采用3-Bit-Per-Cell技术推出业界最高效的34纳米NAND产品

多层单元(MLC)NAND英特尔公司(Intel Corporation)和美光科技股份有限公司(Micron Technology Inc.,纽约证券交易所:MU)今天宣布,双方依靠其获奖的34纳米NAND工艺,推出每单元储存3比特(3-bit-per-cell,简称3bpc)的多层单元(MLC)NAND技术试用产品。这些芯片最适合用于闪存卡和USB驱动器等消费存储设备,在这类应用场合中,高密度和性价比是首要考虑的问题。

Micron Technology--美光科技股份有限公司

公司简介: 

美光科技股份有限公司(Micron Technology, Inc.)是高级半导体解决方案的全球领先供应商之一。通过全球化的运营,美光公司制造并向市场推出DRAM、NAND闪存、其他半导体组件以及存储器模块,用于前沿计算、消费品、网络和移动便携产品。美光公司普通股代码为MU,在纽约证券交易所(NYSE)交易。如需了解美光科技有限公司的详细情况,请访问: www.micron.com

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Micron Semiconductor (Xi'an) Co., Ltd.
Zone B of Shaanxi Xi'an Export Processing Zone
Xin Xi Avenue
Xi'an, 710119
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Tel: +86-29-6891-6001
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Micron Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd.
41F, K.WAH Centre
1010 Middle Huai Hai Road
Shanghai, 200031
P. R. China
Tel: +86-21-6103-3333
Fax: +86-21-5403-9895

Micron Semiconductor Technology (Shanghai) Co., Ltd.
31F, K.WAH Centre
1010 Middle Huai Hai Road
Shanghai, 200031
P. R. China
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Fax: +86-21-5405-1505

Micron Semiconductor (Shenzhen) Co., Ltd.
10F, Tower B, Anlian Plaza
No.4018 Jiantian Road
Futian District
Shenzhen, 518026
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Tel: +86-755-8347-4560
Fax: +86-755-8347-4460

Micron Semiconductor (Xiamen) Co., Ltd.
Room 301, 303, 305 3/F and 4/F
Administration Committee Building
Xiangyu F.T.Z.
Xiamen, 361006
P. R. China
Tel: +86-592-565-1088
Fax: +86-592-603-6307

Micron Semiconductor (Beijing) Co., Ltd.
Office 522, 5/F South Block, Tower C, Raycom Infotech Park
No.2 Kexueyuan South Road, Zhongguancun
Beijing, 100190
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Tel: +86 010-5982-2078
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美光科技股份有限公司logo美光科技股份有限公司(Micron Technology, Inc.)是高级半导体解决方案的全球领先供应商之一。通过全球化的运营,美光公司制造并向市场推出DRAM、NAND闪存、其他半导体组件以及存储器模块,用于前沿计算、消费品、网络和移动便携产品。美光公司普通股代码为MU,在纽约证券交易所(NYSE)交易。如需了解美光科技有限公司的详细情况,请访问: www.micron.com

Sunplus--凌阳集团

公司简介: 

凌阳集团以创立于 1990年的凌阳科技股份有限公司为首,专注于消费性电子应用领域的芯片设计。凌阳不仅设计芯片,也提供系统解决方案,致力为客户的每一项产品设计提供功能差异化与利润极大化。凌阳拥有完整、可重复使用之智能财产,诸如影音、微处理器、数字讯号处理器等IP,广泛应用于众多芯片产品中;2006年为因应公司经营规模日益扩张,逐步分割旗下事业单位为独立芯片设计公司:原TFT项目独立成为旭曜科技-专业液晶驱动与控制芯片设计;原控制与周边事业群独立成为凌阳创新科技-主要产品为计算机外设、储存设备、多功能事务机、家电等IC解决方案;原个人娱乐平台事业群与先端事业群独立成为凌阳电通科技-专注于个人娱平台产品,如MP3/MP4、数码相机、数字摄影机、多媒体播放机等IC解决方案;母公司凌阳科技则专注于家庭娱乐平台领域与IP核心智权开发,产品如DVD播放与录像、数字电视、DVR等家庭多媒体产品。如需了解公司概况,请访问凌阳集团母公司凌阳科技网址: www.sunplus.com

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凌阳集团logo凌阳集团以创立于 1990年的凌阳科技股份有限公司为首,专注于消费性电子应用领域的芯片设计。凌阳不仅设计芯片,也提供系统解决方案,致力为客户的每一项产品设计提供功能差异化与利润极大化。凌阳拥有完整、可重复使用之智能财产,诸如影音、微处理器、数字讯号处理器等IP,广泛应用于众多芯片产品中;2006年为因应公司经营规模日益扩张,逐步分割旗下事业单位为独立芯片设计公司:原TFT项目独立成为旭曜科技-专业液晶驱动与控制芯片设计;原控制与周边事业群独立成为凌阳创新科技-主要产品为计算机外设、储存设备、多功能事务机、家电等IC解决方案;原个人娱乐平台事业群与先端事业群独立成为凌阳电通科技-专注于个人娱平台产品,如MP3/MP4、数码相机、数字摄影机、多媒体播放机等IC解决方案;母公司凌阳科技则专注于家庭娱乐平台领域与IP核心智权开发,产品如DVD播放与录像、数字电视、DVR等家庭多媒体产品。如需了解公司概况,请访问凌阳集团母公司凌阳科技网址: www.sunplus.com

NAND Flash品牌厂商2009年第二季营收排名公布,Samsung继续保持第一

NAND Flash品牌排名在NAND Flash供货商产能减产效应及新兴市场库存回补需求的双重帮助下,第二季NAND Flash平均销售价格(ASP)约上涨20% QoQ,整体NAND Flash出货量则增加了10% QoQ, 因此2009年第二季NAND Flash品牌厂商营收都较上一季成长,2009年第二季全球NAND Flash品牌厂商整体营收为27亿8千6百万美元,较上一季的20亿8千6百万美元成长33.6%QoQ。Samsung继续保持第一的位置。

LSI 发布新一代基于6Gb/s SAS 技术的高性能RAID控制卡MegaRAID 9200

MegaRAID 9200系列控制器日前,LSI 公司(NYSE: LSI)今天宣布推出基于6Gb/s SAS技术的新一代高性能 MegaRAID SATA+SAS RAID控制器。MegaRAID 9200系列控制器拥有创新的6Gb/s SAS产品特性,并且支持SATA、SAS和固态硬盘(SSD),可为中小企业提供卓越的 RAID 性能以及内部和外部存储的扩展性能。

公司信息: 
LSI

LSI 3ware RAID控制卡为Mac® 服务器提供出色扩展性与数据保护

3ware® 9690SA 创新点:新型 Mac OS X 驱动器为苹果用户的流媒体应用提供了高性能、高可靠性的硬件 RAID 保护功能
LSI 公司 (NYSE: LSI) 宣布为其 3ware® 9690SA 与 9650SE 系列 RAID 控制卡推出一款 Mac® OS X 驱动器。这些控制器使用户能够优化其直联存储环境中基于 Intel 的 Mac 服务器的读/写性能、增强数据保护并提高可扩展性,以满足数字视频、数字音频、电影、广播以及视频点播解决方案等众多流媒体应用需求。

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LSI

Ramtron:FM25V02 Datasheet

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FM25V02是Ramtron International Corporation推出的具有高速读/写性能、更低工作电压和可选器件功能的新型串口非易失性F-RAM产品,带有串行外设接口(SPI),工作电压范围为2.0V至3.6V,采用行业标准8脚SOIC封装,具有快速访问、无延迟(NoDelay™)写入、几乎无限的读/写次数及低功耗等特点,是工业控制、表计、医疗电子、军事、游戏、计算机及其它应用领域的256 Kb 串口闪存和串口 EEPROM存储器的兼容替代产品。

Ramtron:FM24V02 Datasheet

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FM24V02是Ramtron International Corporation,推出的具有高速读/写性能、更低工作电压和可选器件功能的新型串口非易失性F-RAM产品,带有两线制接口(I2C),工作电压范围为2.0V至3.6V,采用行业标准8脚SOIC封装,具有快速访问、无延迟(NoDelay™)写入、几乎无限的读/写次数及低功耗等特点,是工业控制、表计、医疗电子、军事、游戏、计算机及其它应用领域的256 Kb 串口闪存和串口 EEPROM存储器的兼容替代产品。

Ramtron发布两款低功耗高性能串口F-RAM器件FM24V02和FM25V02

FM24V02和FM25V02 非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation,发布了两款具有高速读/写性能、更低工作电压和可选器件功能的新型串口非易失性F-RAM产品,分别是带有两线制接口(I2C)的FM24V02和带有串行外设接口(SPI)的FM25V02。两款256Kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM产品的最新型号,工作电压范围为2.0V至3.6V,采用行业标准8脚SOIC封装,具有快速访问、无延迟(NoDelay™)写入、几乎无限的读/写次数及低功耗等特点,是工业控制、表计、医疗电子、军事、游戏、计算机及其它应用领域的256 Kb 串口闪存和串口 EEPROM存储器的兼容替代产品。

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恒忆为串行闪存产品推出统一新品牌Numonyx® Forté™

串行NOR闪存产品为了准备在今年后半年针对嵌入式系统设计发布领先的新一代串行NOR闪存产品,恒忆(Numonyx)公司今天宣布为旗下整个串行产品线启用全新品牌:Numonyx® Forté™ 串行闪存。新品牌代表了该领域最全面和最灵活的串行闪存产品组合,可为消费电子产品、汽车电子、固话和无线通信应用的设计人员提供广泛的性能和存储密度。Numonyx Forté串行闪存品牌包括现有的标准嵌入式应用和汽车级串行NOR产品线,以及即将推出的采用恒忆65纳米先进制程的多I/O产品。

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Ramtron宣布推出8Mb并口非易失性F-RAM存储器FM23MLD16

8兆位(Mb) F-RAM存储器FM23MLD16Ramtron International Corporation宣布推出采用FBGA封装的8兆位(Mb) F-RAM存储器。FM23MLD16是采用48脚球栅阵列(FBGA)封装的8-Mb、3V并口非易失性RAM,具有访问速度快、几乎无限次的读写次数以及低功耗等优点。该器件与异步静态 RAM (SRAM) 引脚兼容,主要针对工业控制系统如机器人技术、网络RAID存储解决方案、多功能打印机、自动导航系统,以及各种基于SRAM的系统设计。

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LSI SATA RAID控制器助力Intel,可显著增强分层存储网络中固态驱动器性能

3ware® 9650SE SATA RAID 控制卡日前,LSI 公司 (NYSE: LSI) 宣布为其 3ware® 9650SE SATA RAID 控制卡推出一款新型控制器固件,它可为 Intel® X25-E Extreme SATA 固态驱动器 (SSD) 助一臂之力。此次固件升级旨在为服务器、存储系统以及高端工作站中的 Intel SSD 提供全面支持。

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ST推出2 x 3mm封装的512Kbit串口EEPROM

串口EEPROM器件创新点:新存储器提供高速SPI和 I2C接口,把产品设计的密度扩展能力提高到 512-Kbit
意法半导体(纽约证券交易所代码:STM)运用先进的非易失性存储技术,推出两款在当前市场上最高密度的采工业标准2 x 3 x 0.6mm 8-引脚微型引线框架封装(MLP)的512-Kbit器件,再度写下业界第一。新产品引脚兼容低密度的存储器,让设计人员无需重新设计电路板即可直接更换芯片,产品升级更快速、高效。

内嵌式MMC迎来曙光

内嵌式MMC (eMMC)作者:MICHAEL YANG
曾经在移动存储市场受尽冷落,Multimedia Card (MMC)存储卡一路走来,终见曙光。供应商在早期的一些诺基亚移动手机中采用了MMC并取得了短暂的成功。之后,他们弃用其外插式设计,将这一技术改进成为内嵌式MMC (eMMC),闪存和控制器集成在一个小的BGA封装中。

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Ramtron 4Mb F-RAM器件获选用于高可靠性工业用固态硬盘

FM22L16非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布,其4Mb F-RAM器件FM22L16已获深圳市盛博科技嵌入式计算机有限公司采用,以生产创新的数据存储设备—固态硬盘 (solid-state disk, SSD)。盛博科技专门研究、开发和生产基于国际标准的嵌入式硬件和软件系统,瞄准工业自动化市场,终端客户遍及轨道运输、电力、医疗设备和运动控制等应用领域。

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LSI推出业界首款40nm读取信道芯片TrueStore®RC9500

TrueStore® RC9500创新点:最新低密度校验码迭代解码技术使硬盘容量提高了10%,并降低了读取信道的功耗
日前,LSI 公司 (NYSE: LSI)宣布推出业界首款 40nm 读取信道芯片TrueStore® RC9500,旨在支持各种尺寸和容量的从笔记本到企业级的 HDD。RC9500 现已开始向硬盘驱动器 (HDD) 制造商提供样片。RC9500 采用新一代低密度校验码(LDPC) 迭代解码技术,不仅使 HDD 的数据存储容量提高了 10% 以上,降低了读取信道的功耗,同时还实现了业界领先的性能,数据传输速率超过4.0Gb/s。

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LSI

恒忆携手三星电子开发 PCM

Phase Change Memory恒忆 (Numonyx) 与三星电子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布将共同开发制定相变存储器 (Phase Change Memory,PCM) 产品的市场规格,此新一代存储技术可满足载有大量内容和数据平台的性能及功耗要求,从而帮助多功能手机及移动应用、嵌入式系统*、高级运算装置的制造商应对设计挑战。制定针对PCM 产品的通用软硬件兼容标准,将有效简化设计流程并缩短产品开发时间,使制造商能在短时间内采用这两家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存储产品。

Ramtron推出具有低功耗和长数据保持力的FM24CL32

FM24CL32非易失性铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation宣布推出 FM24CL32,提供具高速读/写性能、低电压运行,以及出色的数据保持能力的串口非易失性RAM器件。FM24CL32是32Kb 非易失性存储器,工作电压为2.7V至3.6V,采用8脚SOIC封装,使用二线制 (I2C) 协议;并提供快速访问、无延迟 (NoDelay™) 写入、几乎无限的读/写次数 (1E14) 及低功耗特性。FM24CL32 适用于工业控制、计量、医疗、军事、游戏娱乐和计算应用及其它领域,可作为并口EEPROM 存储器的直接替代产品。

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LSI 3ware PCI-e SATA RAID 控制卡力助FilmLight 高性能颜色分级系统

3ware® SATA RAID 控制卡日前,LSI 公司 (NYSE: LSI) 宣布其屡获殊荣的 LSI™ 3ware® SATA RAID 控制卡获得专为好莱坞及孟买等地的制作与后期制作公司提供数字电影和视频技术的全球领先供应商之一FilmLight公司采用,将支持其高性能颜色分级系统。FilmLight 销售总监 Mike Grieve表示:“业界许多大规模的后期制作公司均依赖 Baselight 来进行颜色分级。Baselight 之所以如此倍受青睐,这得归功于其在性能、容量及价值方面享有良好的声誉,然而这一切又根植于我们构建该平台所用的出色硬件元器件之上。LSI 3ware RAID 控制卡迄今仍是满足并超越客户对于性能与保护需求的最佳选择。”

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恒忆携手多家知名经销商掘金亚洲存储金矿

恒忆亚洲区嵌入式业务部副总裁龚翊恒忆(Numonyx)今天宣布与益登、联强、世平、文晔、东棉、金龙等授权经销商合作,在中国大陆地区销售恒忆产品,并提供支持服务。通过这个稳固的经销商网络,恒忆在亚洲区的产品与技术布局将更加完整,足以满足亚洲快速增长的嵌入式与无线市场需求,尤其是在数字消费电子、通信和手持装置等领域。

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