格罗方德专家深度揭秘FD-SOI工艺四大优势

近日,中芯国际低调宣布在北京再开建了一条12英寸生产线,有消息称未来中芯国际可能会与格罗方德(Globalfoundries)合作,引进FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)工艺平台。而此前在上海FD-SOI论坛期间,中国大基金项目负责人也与Globalfoundries高层进行了洽谈,由于三星和格罗方德已经开始了FD-SOI工艺的代工,而且FD-SOI工艺在射频和物联网芯片方面的优势明显,因此中芯国际开展FD-SOI代工服务的可能性很大,FD-SOI到底有哪些优势?近日格罗方德半导体Design Enablement 部门副总裁Subramani Kengeri及RF Field Marketing部门总监Peter Rabbeni在接受电子创新网采访时详细介绍了22nm FD-SOI 和RF-SOI 技术的特点和优势,这里做一个总结。

他凭这个技术可以获得诺贝尔物理学奖吗?

随着英特尔、苹果、华为海思、赛灵思等公司主陆续出货基于FinFET工艺的处理器芯片,FinFET技术的发明人胡正明教授越来越受到关注,实际上他还是FD-SOI工艺的发明人,这两大技术让行到水穷处的微电子产业焕发了勃勃生机,胡正明教授的发明堪称改变了微电子发展,在视频中,胡教授深入浅出地介绍了FinFET技术的原理,真是大家啊,介绍的非常清楚,他的两个技术影响了万亿级的微电子市场,凭借这个技术胡正明教授可以获得诺贝尔物理学奖吧。向微电子业的牛人致敬!

格罗方德半导体推出业内首个22nm FD-SOI工艺平台

22FDX可为物联网、主流移动设备、RF连接和网络市场提供最佳的性能、功耗和成本组合

格罗方德半导体(GLOBAL FOUNDRIES)发布一种全新的半导体工艺,以满足新一代联网设备的超低功耗要求。“22FDX™”平台提供的性能和功耗媲美FinFET,而成本则与28nm平面晶体管工艺相当,为迅速发展的移动、物联网、RF连接和网络市场提供了一个最佳解决方案。

2014国际RF-SOI研讨会在上海成功召开

9月23日,由SOI产业联盟、中国科学院上海微系统与信息技术研究所、上海微技术工业研究院、芯原股份有限公司共同主办的“2014国际RF-SOI研讨会”在上海成功召开。本次研讨会是行业内首次举办射频类SOI议题的会议,聚集了当今射频产业的核心参与者,共同探讨交流快速发展的射频应用带来的机会与挑战。

工艺技术将现重大转折FinFET ,FD-SOI之争半年内将有结果

作者:张国斌

英特尔每年因FinFET工艺延迟造成的损失高达30亿美元!未来12个月到18个月将有基于FD-SOI(全耗尽型绝缘层上硅)技术的芯片量产,三星已经从意法半导体获得了FD-SOI工艺的授权,Global Foundries 已经可以提供MPW形式的FD-SOI代工服务,与2013年的首届上海FD-SOI论坛相比,今天召开的2014 FD-SOI论坛显然底气足了很多,IBS、意法半导体、GF、IBM、Synopsys、芯原等分享了很多FD-SOI设计经验,看来,FD-SOI工艺技术越来越实用化,FD-SOI有可能让本土IC公司实现弯道超车吗?请随我一道看看今天的论坛嘉宾都爆了什么猛料?

三星与意法半导体签署战略协议,扩大28纳米FD-SOI技术生态系统

代工技术特许协议为速度更快、散热更好、工序更简单的28纳米 FD-SOI芯片提供多货源供货保障

意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)和全球先进半导体解决方案提供商三星电子株式会社今天签署了28纳米全耗尽型绝缘层上硅(FD-SOI)技术多资源制造全方位合作协议。

该技术特许协议授权三星利用其现代化的300mm晶圆制造厂为客户提供先进的芯片制造解决方案,确保半导体工业能够在芯片量产中利用意法半导体的FD-SOI技术。28纳米 FD-SOI技术可制造速度更快、散热更好、工序更简单的半导体器件,满足移动和消费电子等下一代电子产品市场对更高性能和更低功耗的系统芯片的日益增长的需求。

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意法半导体(ST)公布2013年第四季度及全年财报,2013全年净收入80亿美元

意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)公布了截至2013年12月31日的第四季度及全年财报。第四季度净收入总计20.1亿美元,毛利率为32.9%,每股净亏损0.04美元。全年净收入总计80.8亿美元,毛利率为32.3%,每股净亏损0.56美元。

“芯”无远虑,必有近忧 ----FD-SOI与FinFET工艺,谁将接替Bulk CMOS?

作者:张国斌

“传统Bulk CMOS工艺技术将在20nm走到尽头,必须用创新的思路和方法寻找新的替代工艺。”----IBS主席兼 CEO Handel Jones

现在,大量IC采用体硅CMOS(Bulk CMOS)工艺技术实现,这是一种制造成本低、性能较高和具备不错低功耗性能的成熟技术,但是,当工艺节点升级到20nm左右时,Bulk CMOS将无法获得等比例缩小的性能、成本和功耗优势,很多业者认为Bulk CMOS工艺技术将在20nm走到尽头,面对越来越近的这个极限,哪种工艺技术可以接替Bulk CMOS,继续引领半导体技术的革命?

意法半导体的开创性芯片制造技术FD-SOI荣获毕博和《拓展》的创新管理奖

意法半导体的全耗尽型绝缘层上硅(FD-SOI)技术被誉为半导体芯片微型化进程中的突破性成果

意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)宣布其FD-SOI技术荣获誉满业界的“毕博创新管理奖”(“创新生态系统”类别)。

在过去50年里,半导体工业为实现不断提高计算能力的需求所作的努力始终遵循着摩尔定律,集成电路的晶体管数量大约每两年就翻一倍。但是,随着电路尺寸越来越小,芯片企业在晶体管设计上遇到缩减基本尺寸的难题,现在这一挑战限制了晶体管的性能提升。作为电子电路微型化研发领域的一项重大突破性进步,意法半导体的全耗尽型绝缘层上硅(Fully Depleted Silicon-On-Insulator,FD-SOI)技术证明,FD-SOI芯片能够让今天的数字电子产品提速30%,同时降低30%的功耗。从网络向移动设备创建、传输、存储和使用数字内容时,FD-SOI芯片可大幅降低相关设备的功耗,这不只有助于提升用户的生活品质,还有助于解决与节能相关的社会问题。

意法半导体(ST)与Rambus签署综合协议

协议覆盖FD-SOI产品设计、数据安全、存储器和接口技术,解决了全部未决诉求
意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)宣布与Rambus有限公司(NASDAQ代码:RMBS)签署一项综合协议,扩大两家公司之间现存的授权范围,解决目前所有未决诉求,使两家公司可寻求更多的合作机会。

“Places2Be” 项目提升欧洲在更快、更节能、更简单的FD-SOI技术领域的领先地位

FD-SOI是下一代低功耗、高性能半导体制程FD-SOI是下一代低功耗、高性能半导体制程• 3年期的3.6亿欧元项目涉及欧洲19个合作伙伴,意法半导体为项目负责方
• 2条FD-SOI试制生产线位于格勒诺布尔和德累斯顿
• Places2Be的投资方为ENIAC JU和国家政府机关

19家欧洲知名半导体企业和学术机构宣布正式启动为期3年3.6亿欧元的Places2Be先进技术试制项目,支持全耗尽型绝缘层上硅(FD-SOI)技术的产业化。

意法半导体的产品、技术及高管入围《电子工程专辑》和《电子技术设计》电子成就奖

FD-SOI 技术成功入围能源技术奖意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)宣布其产品、技术及高管入围两大全球知名电子技术专业媒体《电子工程专辑》(EETimes)和《电子技术设计》(EDN)联合设立的2013年度电子成就(ACE)奖的6个类别奖。除一项新技术和一名高级管理人员外,还有4款意法半导体的产品入围《电子工程专辑》和《电子技术设计》的“终极产品”奖。

意法•爱立信多核处理器白皮书

意法•爱立信多核处理器白皮书意法•爱立信多核处理器白皮书作者:Marco Cornero, Andreas Anyuru
近几年,移动平台厂商争先推出多核处理器,以顺应市场日益提高的性能需求。
由于移动市场竞争异常激烈,多核处理器变成了营销工具,厂商利用这个最显著的差异化特性向消费者传递一个过于简化的信息:处理器核数越多,平台就越好,性能就越高,事实却复杂得多,在多核处理器平台内,处理器数量对总体性能只产生一定的影响,不同的底层硅技术将会对性能产生完全不同的影响,多个关联因素决定了多核处理平台能效(例如,平台对软件性能的有效影响、芯片频率、芯片大小和功耗)。

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意法•爱立信推出采用FD-SOI技术的LTE modem和应用处理器高集成平台

NovaThor L8580速率可达2.5GHzNovaThor L8580速率可达2.5GHzNovaThor L8580 ModAp平台采用具有突破性的FD-SOI工艺技术,创新的设计支持高达2.5GHz的eQuad处理器,并整合了先进的LTE多模modem
意法•爱立信,今天在举办全球最大规模的消费电子展的拉斯维加斯,宣布推出全球最快、最低功耗的高集成LTE智能手机平台。NovaThorTM L8580 ModAp是一款支持LTE多模的智能手机平台,它整合了全套的无线连接(connectivity)功能,并且拥有速率可达2.5GHz的eQuadTM应用处理器。NovaThor L8580将在2013年的一季度提供样片。

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意法半导体(ST)宣布位于法国Crolles的晶圆厂即将投产28纳米FD-SOI制程技术

ST即将投产28纳米FD-SOI制程技术ST即将投产28纳米FD-SOI制程技术经过硅验证的制程将提高30%的生产速度,并降低50%的功耗
意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)宣布其在28纳米 FD-SOI 技术平台的研发上又向前迈出一大步,即将在位于法国Crolles的12寸(300mm)晶圆厂投产该制程技术,这证明了意法半导体以28纳米技术节点提供平面全耗尽技术的能力。在实现极其出色的图形、多媒体处理性能和高速宽带连接功能的同时,而不牺牲电池的使用寿命的情况下,嵌入式处理器需具有市场上最高的性能及最低的功耗,意法半导体28纳米技术的投产可解决这一挑战,满足多媒体和便携应用市场的需求。

意法半导体与Soitec携手通过CMP提供28纳米FD-SOI CMOS制程

CMP自2011年起开始提供ST28纳米CMOS体效应技术CMP自2011年起开始提供ST28纳米CMOS体效应技术半导体技术领先企业意法半导体、 Soitec与CMP携手为大学院校、研究实验室和工业企业设计下一代系统级芯片并提供工程流片服务
意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)、Soitec(欧洲证券交易所)与CMP (Circuits Multi Projets®) 共同宣布,现在大学院校、研究实验室和设计企业可通过CMP的硅中介服务使用意法半导体的CMOS 28纳米全耗尽型绝缘层上硅(FD-SOI)制程进行工程流片,意法半导体的新制程采用Soitec公司开发的创新型硅衬底。随着首批商用晶圆即将下线,意法半导体正在将这项制程下放给第三方芯片制造商。