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Linear:LTC3857-1 Datasheet

LTC3857-1 是一款高性能、双通道、降压型开关稳压控制器,用于驱动全 N 沟道同步功率MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构可提供一个高达 850kHz 的可锁相频率。通过使两个控制器输出级异相运作,最大限度地降低了由于输入电容器 ESR 所引起的功率损耗和噪声。50μA 的无负载静态电流延长了电池供电型系统的工作时间。LTC3857-1 具有一个精准的 0.8V 基准和一个电源良好输出指示器。4V 至 38V 的宽输入电源范围囊括了众多的中间总线电压和电池化学组成。
LTC3857-1 是一款高性能、双通道、降压型开关稳压控制器,用于驱动全 N 沟道同步功率MOSFET 级。一种恒定频率电流模式架构可提供一个高达 850kHz 的可锁相频率。通过使两个控制器输出级异相运作,最大限度地降低了由于输入电容器 ESR 所引起的功率损耗和噪声。50μA 的无负载静态电流延长了电池供电型系统的工作时间。LTC3857-1 具有一个精准的 0.8V 基准和一个电源良好输出指示器。4V 至 38V 的宽输入电源范围囊括了众多的中间总线电压和电池化学组成。

LTC同步降压型DC/DC 控制器LTC3857/-1单路输出工作时仅消耗50uA 电流

LTC3857/-1凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出超低静态电流、两相双路输出同步降压型DC/DC 控制器 LTC3857/-1,该器件在单路输出工作时仅消耗 50uA 电流,而当两路输出都启动时则消耗 80uA 电流。两个输出都停机时,LTC3857/-1 仅消耗 8uA 电流。这个器件非常适用于汽车应用,在这类应用中,一或两个电源在备用模式仍然保持工作。LTC3857/-1 的 4V 至 38V 输入电源范围足够宽,可使该器件免受汽车高压瞬态影响、在冷车发动时继续工作并覆盖宽的电池化学组成范围。在输出电流高达 20A 时,每路输出都可以在 0.8V 至 24V 的范围内设置,同时效率高达 95%。LTC3857/-1 非常适用于为 GPS 系统、音频系统、CD/DVD 播放器和磁盘驱动器供电。

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IR:IRF6718 Datasheet

公司信息: 

IRF6718是国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出的DirectFET MOSFET。这款新型25V器件提供业界最低的导通电阻 (RDS(on)),并且使动态ORing、热插拔及电子保险丝等DC开关应用达到最佳效果。IRF6718在新款大罐式DirectFET封装中融入了IR新一代硅技术,提供极低的通态电阻(在10V Vgs时典型为0.5mΩ),同时比D2PAK的占位面积缩小60%,高度缩小85%。
IRF6718是国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出的DirectFET MOSFET。这款新型25V器件提供业界最低的导通电阻 (RDS(on)),并且使动态ORing、热插拔及电子保险丝等DC开关应用达到最佳效果。IRF6718在新款大罐式DirectFET封装中融入了IR新一代硅技术,提供极低的通态电阻(在10V Vgs时典型为0.5mΩ),同时比D2PAK的占位面积缩小60%,高度缩小85%。

Linear:LT3663 Datasheet

LT3663是一款 1.5MHz 电流模式降压型开关稳压器,具有可编程输出电流限值。电流限制功能用于准确地控制系统功耗并缩减电源通路元件的尺寸。7.5V 至 36V (60V 瞬态电压) 的宽工作输入电压范围使得 LT3663 适合于多种输入电源,包括未调整的 12V 墙上适配器、24V 工业电源和汽车电源。
LT3663是一款 1.5MHz 电流模式降压型开关稳压器,具有可编程输出电流限值。电流限制功能用于准确地控制系统功耗并缩减电源通路元件的尺寸。7.5V 至 36V (60V 瞬态电压) 的宽工作输入电压范围使得 LT3663 适合于多种输入电源,包括未调整的 12V 墙上适配器、24V 工业电源和汽车电源。

凌力尔特推出1.2A、1.5MHz单片电流模式降压型开关稳压器LT3663

LT3663凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 1.2A、1.5MHz 单片电流模式降压型开关稳压器 LT3663,该器件具有可编程输出电流限制。其 7.5V 至 36V 的宽输入工作电压范围使 LT3663 非常适用于多种输入电源,包括未稳压 12V 交流适配器、24V 工业电源、Fire Wire 和汽车应用。内置输入过压闭锁功能可保护器件安全承受诸如汽车应用中常见高达 60V 的输入瞬态电压。

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Vishay:SiR494DP Datasheet

公司信息: 

SiR494DP是Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)推出的具有业内最低导通电阻的新款N沟道MOSFET器件,将该系列的第三代TrenchFET®功率MOSFET的电压降至12V,同时该器件的导通电阻与栅电荷的乘积也是这种额定电压的器件当中最低的。

美信推出低成本、双通道、吸入/源出电流DAC DS4432

DS4432Maxim Integrated Products (NASDAQ:MXIM)推出低成本、双通道、吸入/源出电流DAC DS4432。这款I²C控制的7位电流型DAC具有2个输出通道,专为电源裕量测试和调节而设计。每路输出通道通过直接从电源的反馈节点吸入或源出电流,实现DC-DC电源的精密控制。DS4432与以往的吸入/源出电流DAC相比,具有更低的满量程电流和更高的分辨率,从而扩展了现有的通过很小部分的重新设计即可实现裕量测试和调节的DC-DC电源范围。DS4432理想用于服务器、路由器、交换机、视频处理卡以及其它需要系统级电压控制、校准和裕量测试的DC-DC电源。

公司信息: 
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Maxim:DS4432 Datasheet

公司信息: 

DS4432集成了2路可通过I²C调节的电流输出DAC,每路DAC均可吸入或源出高达200µA的电流。每路DAC输出可通过I²C接口设置127个吸入电流和127个源出电流等级。电流型DAC的输出在上电时为高阻态。

Diodes:ZXMC10A816 Datasheet

公司信息: 

ZXMC10A816是Diodes公司推出的新型器件,它采用SO8封装,包含一对互补100V增强式MOSFET,性能可媲美体积更大的独立封装器件。ZXMC10A816适用于H桥电路,应用范围包括直流风扇和逆变器电路、D类放大器输出级以及其他多种48V应用。

Diodes推出节省空间却无损性能 新型双MOSFET组合式器件

ZXMC10A816Diodes公司推出新型ZXMC10A816器件,它采用SO8封装,包含一对互补100V增强式MOSFET,性能可媲美体积更大的独立封装器件。ZXMC10A816适用于H桥电路,应用范围包括直流风扇和逆变器电路、D类放大器输出级以及其他多种48V应用。

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Linear:LTC3412A Datasheet

LTC3412A 是一款高效率单片式同步、降压型 DC/DC 转换器,采用一种恒定频率、电流模式架构。其工作输入电压范围为 2.25V 至 5.5V,并可在输送高达 3A 输出电流的情况下提供一个 0.8V 至 5V 的已调输出电压。具 77mΩ 接通电阻的内部同步电源开关提高了效率,并免除了增设一个外部肖特基二极管的需要。开关频率可由一个外部电阻器来设定,也可使之与一个外部时钟相同步。100% 占空比提供了低压差操作,从而延长了便携式系统中的电池使用寿命。OPTI-LOOP® 补偿允许在一个很宽的负载和输出电容范围内对瞬态响应进行优化。
LTC3412A 是一款高效率单片式同步、降压型 DC/DC 转换器,采用一种恒定频率、电流模式架构。其工作输入电压范围为 2.25V 至 5.5V,并可在输送高达 3A 输出电流的情况下提供一个 0.8V 至 5V 的已调输出电压。具 77mΩ 接通电阻的内部同步电源开关提高了效率,并免除了增设一个外部肖特基二极管的需要。开关频率可由一个外部电阻器来设定,也可使之与一个外部时钟相同步。100% 占空比提供了低压差操作,从而延长了便携式系统中的电池使用寿命。OPTI-LOOP® 补偿允许在一个很宽的负载和输出电容范围内对瞬态响应进行优化。

LTC推出高效率、4MHz 同步降压型稳压器LTC3412A

LTC3412A凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高可靠性、MP 级版本 LTC3412A。LTC3412A 是一个高效率、4MHz 同步降压型稳压器,该稳压器采用恒定频率、电流模式架构。它采用耐热增强型 TSSOP-16 封装,在电压低至 0.8V 时,可提供高达 3A 的连续输出电流,它在 2.25V 至 5.5V 的输入电压范围内工作,从而非常适用于单节锂离子或镍氢金属电池应用、以及更通用的固定轨系统。MP 级版本在 -55˚C 至 125°C 的结温范围内工作是有保证的。LTC3412AMP 非常适用于高可靠性的应用,而这类应用能经受非常宽的环境温度范围。

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Vishay Siliconix首创将高、低MOSFET集成在同一封装

SiZ700DT日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出在一个封装内集成一对不对称功率MOSFET系列的首款产品 --- SiZ700DT。该款器件的推出将有助于减少DC-DC转换器中高边和低边功率MOSFET所占的空间。SiZ700DT采用6 mm×3.7mm的新型PowerPAIR封装,在一个紧凑的器件内同时提供了低边和高边MOSFET,同时保持了低导通电阻和高最大电流的特性,比使用两个分立器件的方案节省了很多电路板空间。PowerPAIR的厚度为0.75 mm,比厚度为1.04mm的PowerPAK 1212-8和PowerPAK SO-8封装薄了28%。

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Vishay:Si7145DP Datasheet

公司信息: 

Si7145DP是Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)推出的业界首款采用SO-8占位面积的30V P沟道功率MOSFET器件,它将10V、4.5V栅极驱动下的最大导通电阻降至2.6mΩ和3.75mΩ。凭借这些性能规格,新的Vishay Siliconix Si7145DP--第三代TrenchFET P沟道家族的最新成员--实现了在这个电压等级和占位下最低的导通电阻。

Vishay Siliconix推出业界首款采用SO-8占位面积的30V P沟道功率MOSFET器件

Si7145DP日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出业界首款采用SO-8占位面积的30V P沟道功率MOSFET器件 --- Si7145DP,将10V、4.5V栅极驱动下的最大导通电阻降至2.6mΩ和3.75mΩ。凭借这些性能规格,新的Vishay Siliconix Si7145DP--第三代TrenchFET P沟道家族的最新成员--实现了在这个电压等级和占位下最低的导通电阻。

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Linear:LTC3803-3 Datasheet

LTC3803-3 是一款恒定频率电流模式反激式控制器,专为在高输入电压应用中驱动 6V 额定电压 N 沟道 MOSFET 而优化。恒定频率操作一直保持到负载非常轻的条件下,从而在一个很宽的负载电流范围内产生较少的低频噪声。斜率补偿可利用一个外部电阻器来设置。
LTC3803-3 是一款恒定频率电流模式反激式控制器,专为在高输入电压应用中驱动 6V 额定电压 N 沟道 MOSFET 而优化。恒定频率操作一直保持到负载非常轻的条件下,从而在一个很宽的负载电流范围内产生较少的低频噪声。斜率补偿可利用一个外部电阻器来设置。

Vishay:Vishay Sfernice LPS300/LPS600/LPS800 Datasheet

公司信息: 

Vishay Sfernice LPS300、LPS600和LPS800是Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)推出的小尺寸、宽阻值范围的新型300W、600W和800W厚膜功率电阻,新款Vishay Sfernice LPS300、LPS600和LPS800厚膜电阻无电感(<0.1μH),阻值范围0.3Ω~900kΩ。这些器件的占位面积只有57mm x 60mm,重量仅有83克,可节省宝贵的电路板空间,让设计者得以减小其终端产品的尺寸。

Vishay推出新型超小尺寸、高性能厚膜功率电阻Vishay Sfernice系列

Vishay Sfernice LPS300创新点:这种无感器件的阻值范围为0.3Ω~900kΩ,绝缘强度最高可达12kVrms;在+85℃下的散热功率可达300W、600W和800W;占位面积为57mmx 60mm
Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出小尺寸、宽阻值范围的新型300W、600W和800W厚膜功率电阻 --- Vishay Sfernice LPS300、LPS600和LPS800。新款Vishay Sfernice LPS300、LPS600和LPS800厚膜电阻无电感(

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奥地利微电子发布用于DC-DC 电路原理图设计、仿真和分析的工具analogbench

设计、仿真和分析工具analogbench奥地利微电子公司(SWX 股票代码:AMS)今天发布一款设计、仿真和分析工具analogbench,可评估奥地利微电子创新的DC-DC转换器的性能。analogbench可仿真用户独特的设计,分析整个设计的性能、优化DC-DC的效率。用户输入有关的电压和电流要求后,器件选择器会推荐一个最适合该应用的器件。用户可使用奥地利微电子领先的升压和降压型转换器进行设计。Analogbench根据用户的需求推荐一个设计方案,自动计算出外部元件参数并配置应用电路。设计以交互式网络原理图的形式呈现,用户可更改输入和输出值,并仿真在交流和瞬态条件下的性能。用户可以通过其网络浏览器方便、快速、轻松地运行许多假设分析。这种先进的基于网络的虚拟分析测试平台使用简单,设计和仿真DC-DC电路时无需下载或安装任何软件。

超音频宽带功率正弦波逆变电源

项目简介
江苏省常熟市 吴栋梁
个人原创的《超音频宽频带功率正弦波逆变电源》系电力电子变流技术(SPWM)类的电源引擎,
资质情况为国内领先水平,持有中科院上海科技查新咨询中心出具的查新咨询报告结论,由于经济
原因未作国际查新。相对于方波电源,其效果描述为:改善性能、节约能源和减少电磁污染3个方面
和高频域应用等优势。市场上没有同类产品,涉及众多功能应用产品开发,可构建一系列产业链。由于
处于应用领域的空白区间,因而,同时也发现了一些不寻常的现象或规律,从而也利于基础研究。主
要特点是输出正弦波工作频率可超过音频,能实现大范围连续变频、扫频、点频与频率捷变和频率的
自动跟踪。试验重点为正弦波控制技术核心解决方案,载体的开关频率为10kHz~560kHz(连续)、固
定载波比为14,并作了1~40kHz正弦波输出小试研制及应用形式的验证并获得通过。此外,为了杜绝
盗版,本项目尚未申报专利,仅为专有的核心技术。所撰文件《正弦脉宽调制(SPWM)波的基本要素》
和《研发超音频宽带正弦波电源的历史意义》可浏览附件或作网络搜索下载。