恩智浦推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管

业界最完善的TD-LTE LDMOS产品组合,改进无线基站的性能、灵活性和经济性

恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(纳斯达克:NXPI)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶体管,作为特别关注TD-LTE的无线基站第八代LDMOS产品线的扩展产品。随着中国开始铺设全球最大4GGen8+ LDMOS RF网络,Gen8+的推出将巩固恩智浦TD-LTE产品组合(目前最完善的TD-LTE LDMOS产品组合)的地位,并且显著提升性能、灵活性和经济性。BLC8G27LS-160AV是即将发布的第一款Gen8+器件,这全球最小也最经济的解决方案,用于有源天线户外基站(2.6 GHz)的15 W和20 W功率放大器。该设备可同时支持多达5个TD-LTE载波,并提供覆盖全波段(2.5至2.7 GHz)的高效率。

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