Xilinx拓展生态系统和平台强化嵌入式视觉和工业物联网产品组合

进一步强化了全新16nm Zynq UltraScale+ MPSoC和软件定义SDSoC开发环境,致力于打造行业最高级别的差异化与灵活性
赛灵思公司(Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX))今天宣布通过拓展生态系统和硬件平台进一步扩大了其面向嵌入式视觉和工业物联网市场的产品组合。此次发布强化了赛灵思于2015年公开推出的赛灵思最新16nm Zynq® UltraScale+™ MPSoC和软件定义SDSoC™开发环境。

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Xilinx宣布支持16nm UltraScale+ 器件的工具与文档公开提供

支持主流市场现在即可采用或者验证新一代器件,系统级性能功耗比将比28nm器件高2-5倍
赛灵思公司今天宣布支持16nm UltraScale+™系列的工具及文档面向公众公开提供,其中包含Vivado® 设计套件HLx版、嵌入式软件开发工具、赛灵思Power Estimator (功耗评估器),以及用于Zynq® UltraScale+ MPSoC及Kintex® UltraScale+器件的技术文档。

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赛灵思16nm FinFET工艺Zynq UltraScale MPSoC惊艳亮相深圳

ARM2015年度技术论坛深圳站,赛灵思16nm FinFET工艺Zynq UltraScale MPSoC一亮相就吸引了很多人。这款强大的异构处理器会带来工业安防汽车等领域的颠覆。

Zynq® UltraScale+™ MPSoC 器件不仅提供 64 位处理器可扩展性,同时还将实时控制与软硬件引擎相结合,支持图形、视频、波形与数据包处理。集成支持高级分析的、基于 ARM® 的系统和可实现任务加速的片上可编程逻辑,可为从 5G 无线到新一代 ADAS 乃至工业物联网的各种应用创造无线可能。更多信息,请登录创新网赛灵思中文社区 http://xilinx.eetrend.com/

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Xilinx宣布16nm All Programmable MPSoC提前发货

Zynq® UltraScale+™ MPSoC可为新一代系统提供 5 倍的系统级性能功耗比,以及兼具保密性与安全性的任意互连功能

赛灵思上周(美国时间9月30日)宣布比原定计划提前一个季度向客户提前交付业界首款 16nm 多处理器 SoC(MPSoC)。早期版本的 Zynq® UltraScale+™ MPSoC 能帮助赛灵思客户立即开始设计并提供基于 MPSoC 的系统。Zynq® UltraScale+™ MPSoC 采用台积公司 (TSMC) 的 16FF+ 工艺打造,支持新一代嵌入式视觉、ADAS、工业物联网 (I-IoT) 和通信系统的开发,并可为新一代系统提供 5 倍的系统级性能功耗比,以及兼具保密性与安全性的任意互连功能。

台积公司业务开发副总裁金平中(BJ Woo )博士指出:“台积公司与赛灵思的持续通力合作是今天这一世界级16nm FinFET多处理 SoC提前发货的重要基础。赛灵思与台积公司已经清楚地演示并交付了迄今为止所有供货的All Programmable 逻辑产品系列中领先业界的芯片性能,拥有最低功耗、最高系统集成度和智能化水平。”

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Xilinx宣布投片业界首款All Programmable多处理器SoC 采用TSMC 16nm FF+工艺并瞄准嵌入式视觉、ADAS、I-IoT以及5G系统开发

系统级性能功耗比提升5倍,支持任意连接,并提供新一代高度灵活的标准平台所需要的安全性与保密性

All Programmable 技术和器件的全球领先企业赛灵思公司(Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX))今天宣布开始投片业界首款全可编程(All Programmable)多处理器SoC(MPSoC),采用台积公司(TSMC)16nm FF+工艺,并面向ADAS、无人驾驶汽车、工业物联网(I-IoT)和5G无线系统等嵌入式视觉系统开发。All Programmable Zynq® UltraScale+™MPSoC的将系统级性能功耗比提升了5倍、支持任意连接,并提供新一代系统所需要的安全性和保密性。

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Xilinx 16nm UltraScale+器件实现2至5倍的性能功耗比优势

作者:Mike Santarini 赛灵思公司赛灵思杂志发行人 mike.santarini@xilinx.com

台积公司的16nm FinFET工艺与赛灵思最新UltraRAM和SmartConnect技术相结合,使赛灵思能够继续为市场提供超越摩尔定律的价值优势。

赛灵思凭借其28nm 7系列全可编程系列以及率先上市的20nm UltraScale™系列,获得了领先竞争对手整整一代优势,在此基础上,赛灵思刚刚又推出了其16nm UltraScale+™系列器件。客户采用该器件系列构建的系统相比采用赛灵思28nm器件所设计的类似系统的性能功耗比可提升2至5倍。这些性能功耗比优势主要取决于三大方面:采用台积电公司16FF+(即16nm FinFET Plus)工艺的器件实现方案、赛灵思的片上UltraRAM存储器以及SmartConnect创新型系统级互联-优化技术。

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明年TSMC将有超过30个16nm FinFET设计项目

在昨天晶晨半导体最强四核发布会上,电子创新网采访了到场发表演讲的台积电中国区业务发展资深总监陈平博士,据他透露,台积电已经完成了16nm FinFET工艺参考流程的验证,明年上半年有些客户的16nm FinFET的工程样片将面市,明年将有超过30个16nm FinFET设计项目在台积电流片。