Vishay IGBT功率模块在TIG焊机中提高效率并降低传导损耗

这些半桥和单开关管器件采用Trench PT IGBT技术制造,具有低VCE(ON) 和Eoff,可用于大电流逆变级
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布4款专为TIG焊机设计的新型半桥和单开关管IGBT功率模块---VS-GP100TS60SFPBFVS-GP250SA60SVS-GP300TD60SVS-GP400TD60S

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Fairchild助力古瑞瓦特光伏逆变器实现功率密度和效率

古瑞瓦特光伏逆变器在其下一代逆变器中采用Fairchild的4L封装650V沟槽型场截止IGBT
Fairchild (NASDAQ: FCS) 近日宣布其650 V 沟槽型场截止 IGBT应用于古瑞瓦特新能源公司最新一代光伏逆变器中。由于使用了Fairchild的IGBT,古瑞瓦特将其新型5K-HF逆变器的功率密度与以前型号相比提高了 20%。

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Infineon新一代TRENCHSTOP 5系列产品 S5系列IGBT率先登陆Mouser

贸泽电子为首家分销Infineon   TRENCHSTOP™ 5 S5 绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 的全球分销商。此新一代超薄晶圆TRENCHSTOP 5系列产品在175°C的温度下,能够提供业界领先的1.60 VCE(sat) 低典型饱和电压,因此即使在高温工作条件下,也能保持较高的能效。

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英飞凌加固型TRENCHSTOP 5 S5 IGBT延长光伏逆变器和不间断电源工作寿命,提高其能源效率

英飞凌科技股份公司推出全新S5系列,进一步增强其IGBT的性能。全新推出的这个产品系列立足于超薄晶圆TRENCHSTOP 5 IGBT,专门针对开关频率高达40kHz的工业设备的交流-直流电力转换装置而开发。这类工业设备主要包括光伏逆变器(PV)和不间断电源(UPS)。S5系列器件能够满足制造商实现不低于98%的系统效率级别,从而最大限度提高太阳能电池板的发电量,同时降低系统成本的需求。

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英飞凌发布面向电动汽车和混合动力汽车高速开关应用的最高效650V IGBT系列

英飞凌发布了能够让应用于汽车中的高速开关实现最高效率的高坚固性650V IGBT系列。该系列TRENCHSTOP™5 AUTO IGBT符合AEC-Q 标准,可降低诸如车载充电、功率因数校正(PFC)、直流/直流和直流/交流转换等电动汽车(EV)和混合动力汽车(HEV)应用的功率损耗并提高其可靠性。

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意法半导体推出全新M系列1200V IGBT

意法半导体推出全新M系列1200V IGBT,以先进的沟栅式场截止技术 (trench-gate field-stop) 为特色,有效提升太阳能逆变器 (solar inverters)、电焊机 (welding equipment)、不间断电源 (uninterruptible power supplies) 与工业电机驱动器等多项目标应用的能效和可靠性。

IR第八代IGBT技术平台和IR3847 SupIRBuck荣获 “2014中国年度电子成就奖”

国际整流器公司旗下第八代 (Gen8) 1200V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 技术平台和IR3847 SupIRBuck大电流集成式稳压器荣膺业界闻名的“2014中国年度电子成就奖” 。

IR第八代IGBT平台获得2014中国年度电子成就奖之“年度优秀高性能元器件产品”奖。第八代IGBT采用IR的新一代通道栅极场截止技术,为工业及节能应用提供卓越性能。全新的Gen8设计可让高性能 Vce(on) 减少功耗、增加功率密度以及提供超卓的耐用性。

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安森美半导体应用于白家电的变频器智能功率模块(IPM)技术及方案

由于世界各国不断关注节能问题,使节能型消费类产品的需求持续上升,尤其是电冰箱、洗衣机和空调等白家电产品。除了节能,白家电设计的挑战包括尺寸、散热、可靠性、噪声及外观设计等。如今,在白家电设计中具有显著节能、低噪声和优异变速性能等特性的无刷直流(BLDC)电机(或称“马达”)应用越来越广泛。据统计,高档电冰箱中可能会使用5个或以上电机,空调的室外机及室内机各使用2个,洗衣机/烘干机、洗碗机等通常也会使用2个电机,这就需要高能效的电机驱动/控制方案。

ST推出先进的1200V IGBT,关断损耗和导通损耗降低多达15%

意法半导体最新的1200V绝缘栅双极晶体管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代沟栅式场截止型高速技术提升太阳能逆变器、电焊机、不间断电源和功率因数校正(PFC, Power-Factor Correction)转换器等应用的能效和耐用性。

我国首块八英寸IGBT芯片在湘下线

6月20日,我国电力电子行业迎来一个具有里程碑意义的时刻。当天上午,在来自电力、交通等领域的多位院士专家见证下,中国南车宣布由其自主设计建造的国内首条、世界第二条8英寸IGBT专业芯片生产线在湖南株洲全面建成并即将投产;同时,一块编号为00001的IGBT芯片被中国科技馆永久收藏。这标志着我国大功率电力电子技术的研制和产业化取得重大突破,打破国外垄断,跻身世界一流行列。

英飞凌展示Slew Rate Control EiceDRIVER™ 专为高达1200V的最苛刻的工业应用而开发

在今年的上海国际电力元件、可再生能源管理展览会PCIM上,英飞凌科技股份有限公司将首次展出专为工业领域高端系统设计的最新EiceDRIVERTM产品系列的单通道栅极驱动器。1EDS20I12SV EiceDRIVER™ Safe 型号的驱动器元件首次采用可通过IGBT实时调节的转换速率控制(Slew Rate Control,简称 “C”)。1EDS-SRC EiceDRIVER Safe的安全电气隔离符合VDE 0884-10的严格规范,并已专门开发出短路保护功能。此次展出的驱动器元件具有广泛的应用范围,在隔离电压高达1200 V的应用中可体现出极高的系统效率。

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IR第八代IGBT平台荣获《电子产品世界》绿色电源技术最佳创新奖

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR) 宣布,其第八代 (Gen8) 1200V IGBT平台获得《电子产品世界》2013年度电源技术及产品奖之绿色电源技术最佳创新奖。

第八代 IGBT平台采用IR的最新一代沟道栅极场截止技术,为工业和节能应用提供基准性能。全新的Gen8设计可让高性能 Vce(on) 降低功耗和增加功率密度,并且提供超卓的耐用性。

IR所获得的“绿色电源技术最佳创新奖” ,由《电子产品世界》所邀请的行业知名专家和工程师等资深人士组成的评选委员会和网友投票共同评选产生。

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安森美半导体领先的IGBT获中国《电子产品世界》 颁发最佳功率元器件奖

公司的1,200 V及1,350 V第二代场截止型IGBT获功率元器件类最佳产品奖

安森美半导体(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ONNN)获中国主要半导体行业杂志之一的《电子产品世界》2013年度电源技术及产品奖之功率元器件类最佳产品奖。这每年一度的奖项表彰六个不同类别的优秀产品。

安森美半导体的高性能第二代场截止型(FSII) IGBT系列扩充了额定电流范围,为不间断电源系统(UPS)、电火锅、电饭煲及微波炉等电源应用提供高能效、高速开关能力。获奖器件NGTBxxN120IHRWG及NGTBxxN135IHRW具有优异的开关性能及更低的导电损耗,用于15至30 千赫兹(kHz)中等频率工作的电磁加热及软开关应用。这些器件在大电流时提供极佳的强固性和优异的导通状态特性,根据系统要求经过优化,以提供更高能效及降低系统损耗。

Littelfuse推出IGBT模块和整流器二极管模块

可提供标准和定制解决方案,确切满足要求

Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前宣布为其功率控制半导体系列新添两款产品。 新的半桥电路IGBT模块提供符合行业标准的S、D或WD封装和最高1200V、600A的额定值,能够可靠、灵活地提供依托现代IGBT技术的高效而迅速的开关速度。 此类产品设计用于多种功率控制应用,包括交流电机控制器、运动/伺服控制器、逆变器、电源以及太阳能逆变器。 新的相臂和常规阴极电路整流器二极管模块的额定值最高为1800V和200A,提供更高的热效率以保证更长的使用寿命和可靠性能。 其符合行业标准的S和A封装尺寸使标准二极管具有最高200A的输出电流。 该整流器二极管模块设计用于常规高压应用,如高压稳压电源、照明电路、温度和电机速度控制电路、UPS和电池充电器。 这两个产品系列均提供标准和定制解决方案,以确切满足电路设计人员的性能标准。

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英飞凌扩展其逆导软开关IGBT产品组合,新增650V RC-H5器件

新器件可降低高达 30% 的开关损耗,使系统更加节能高效

英飞凌科技股份公司全新推出一款单片集成逆导二极管的 650V器件,再次扩展其最新一代逆导软开关IGBT(绝缘栅双极晶体管)产品线。英飞凌的RC-H5 系列产品性能卓越,而新推出的这款器件更将显著扩大RC-H5系列产品的应用范围。全新的分立式RC-H5 650V电源半导体是多炉盘电磁炉和带逆变器微波炉的绝佳之选,也是各类硬开关半桥配置拓扑结构的最佳选择。

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IR扩充坚固可靠的600V节能沟道IGBT系列

国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 宣布扩充节能的600V绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列,并提供多种封装选择。坚固可靠的全新IRxx46xx 器件系列为完整的功率应用范围作出优化,从小型马达和低负载产品到工业应用均涵盖其中,如不间断电源 (UPS) 、太阳能、感应加热、工业用马达和焊接等应用。

广泛的产品系列共有23款IGBT,采用纤薄晶圆场截止沟道技术,提供极低的传导损耗和开关损耗,并能实现二者的平衡。新器件与软恢复低Qrr二极管共同封装,通过5µs短路额定值来优化超高速开关,还具备有助于并联的低Vce(on) 和正Vce(on) 温度系数。

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安森美半导体分享中国汽车半导体市场策略

中国已成为全球最大的汽车生产国和消费市场,2013年中国整体汽车销量增长14%至2,200万辆,其中乘用车销售约1,800万辆(份额80%),商用车约400万辆(份额20%);2014年整体销量可达2,300万辆,乘用车销量较2012年增长16%。汽车大趋势正在推动半导体成分的升高:IHS公司预测,由于汽车安全与导航等系统的不断采用,中国汽车半导体市场将在2014年增长11%,达到46亿美元。而在未来三年会延续增长势头,到2017年,中国汽车芯片市场将达到62亿美元。

面对巨大的需求,半导体厂商也面临一些挑战,他们必须帮助设计工程师提高能效、降低成本压力,同时满足功能性、安全性等多方面的要求。作为领先半导体器件供应商,安森美半导体致力于满足汽车客户需求,提供更优质、可靠、具有成本优势的符合汽车认证规范的高能效解决方案,帮助客户提升产品设计和上市速度。

英飞凌为感应加热应用推出新一代逆导IGBT

英飞凌科技股份公司(法兰克福股票交易所股票代码:IFX / 美国柜台交易市场股票代码:IFNNY)推出单片集成逆导二极管的20A 1350V器件,再次扩充逆导(RC) 软开关IGBT(绝缘栅双极型晶体管)产品组合。新的20A RC-H5是对英飞凌性能领先的RC-H系列的扩展,重点关注感应加热应用的系统效率和高可靠性要求。

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将电磁感应加热应用的IGBT功率损耗降至最低

作者:安森美半导体 Alan Ball

近年来,人们使用的电器产品数量不断增多,致使每个家庭内的总能耗稳步上升,不仅大多数西方国家是这样,新兴国家亦是如此。与这些能耗相关的成本也已经增加,因为燃料资源变得更为紧缺,公用事业公司因此而涨价。为了将从电网获得的功率提升至最高,并因此使电费账单支出受控及减少碳排放,付出更多努力来为室内环境开发更高能效的电器就至关重要了。

电磁感应加热炉具(以下简称“电磁炉”)使用电磁产生的热能来烹调,其能效比我们熟悉的标准家用电热锅高得多。此外,由于是通过感应而非传导来产生热量 ,其安全性也被证实更高,因为任何人体部位置于炊具表面都不会被烧伤。

意法半导体(ST)“无拖尾电流”600V IGBT突破功率设计限制

意法半导体的先进的V系列600V沟栅式场截止型(trench-gate field-stop)IGBT 具有平顺、无拖尾电流的关机特性,饱和电压更是低达1.8V,最大工作结温高达175°C,这些优点将有助于开发人员提高系统能效和开关频率,并简化散热设计和电磁干扰(EMI) 设计。