东芝面向汽车应用推出e・MMC NAND闪存

采用先进的工艺技术,支持日益复杂的汽车信息娱乐应用的数据存储和计算需求
东芝公司(TOKYO:6502)旗下半导体与存储产品公司今天宣布推出面向汽车应用的15nm e・MMC TM [1] NAND闪存。东芝的汽车e・MMC的特点包括从-40oC到85oC的广泛工作温度范围、汽车行业可用的芯片尺寸[2]、11.5x13mm JEDEC的标准封装,以及高度的可靠性。样品发货即日启动。

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采用基于Altera FPGA的存储参考设计,NAND闪存使用寿命加倍

具有嵌入式CPU体系结构的FPGA为云计算和高性能计算系统存储实施提供了创新方法

Altera开发了基于其Arria® 10 SoC的存储参考设计,与目前的NAND闪存相比,NAND闪存的使用寿命将加倍,程序擦除周期数增加了7倍。参考设计在经过优化的高性价比单片解决方案中包括了一片Arria 10 SoC和集成双核ARM® Cortex®A9处理器,同时采用了Mobiveil的固态硬盘(SSD)控制器,以及NVMdurance的NAND优化软件。这一参考设计提高了NAND应用的性能和灵活性,同时延长了数据中心设备的使用寿命,从而降低了NAND阵列的成本。

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东芝推出新一代固态混合硬盘

NAND闪存东芝新推出的固态混合硬盘(SSHD)系列具有NAND闪存功能,在增加容量的同时提高了速度

东芝公司(Toshiba Corporation) (TOKYO: 6502)旗下的半导体&存储产品公司(Semiconductor & Storage Products Company)宣布推出全新的固态混合硬盘(SSHD)系列,该系列配备东芝的19nm第二代NAND闪存技术。新推出的“MQ02ABD100H”固态混合硬盘提供1TB[1]的容量,硬盘高9.5mm,而“MQ02ABF050H”则提供500GB的容量,高为7mm。样品出货将从2月份开始。

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闪存革命无处不在

Ron Wilson,总编辑,Altera 公司

随着价格适中的大容量闪存芯片的面市,数据中心巨大的存储系统体系结构出现了很大的变化。通常的情况是,大容量低成本应用出现变化时,结果会很快扩展到其他计算领域,包括嵌入式领域。今年闪存峰会的论文和主题演讲讨论了这种颠覆式变化对数据中心的影响,从中揭示了其涉及范围和进展情况。

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中芯国际推出自主研发的38纳米NAND闪存工艺制程

NAND闪存中芯国际集成电路制造有限公司38纳米 NAND 闪存工艺制程已准备就绪,中芯国际凭此成为唯一一家可为客户生产 NAND 产品的代工厂。该工艺平台完全由中芯国际自主研发,可满足特殊存储器无晶圆厂客户对高质量、低密度 NAND 闪存持续增长的需求,使中芯国际占据该领域的领先地位。

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东芝开始生产15nm工艺的MLC NAND闪存芯片

半导体行业的闪存制造工艺进步除了意味着用户能够获得更好的存储性能,同时也意味着SSD固态存储设备价格的下降。过去几年中SSD的降价幅度还是颇大的,目前最便宜的固态存储驱动器每GB的价格不到50美分,未来价格还将降得更低。东芝(Toshiba)当前已经开始量产15nm工艺的MLC NAND,东芝表示这种128Gb(16GB)芯片已经达到“全球最小级别的芯片尺寸”。

Spansion串行NOR和NAND闪存获得赛灵思闪存设备认证 可用于Zynq-7000全可编程SoC

赛灵思 Zynq-7000 全可编程 SoC设计可轻松嵌入 Spansion 闪存实现高可靠性与高性能

Spansion 公司(纽约证交所代码:CODE)今天宣布,Spansion FL-S系列串行外设接口(SPI)闪存与 Spansion ML-G1 系列 SLC NAND 闪存已获得赛灵思闪存设备认证,可用于 Zynq-7000 全可编程SoC系列产品的配置与数据存储。赛灵思 Zynq-7000 SoC 是首款全可编程片上系统(System-on-Chip),它结合了一个高性能双核 ARM® Cortex™-A9 MPCore™ 处理系统,配置了来自赛灵思最新的FPGA电路技术。使用 Zynq-7000 SoC 的过程中,设计人员可以通过在 FPGA 电路中构建外设与加速器来扩展 ARM 处理器的容量,提供超越传统 SoC 器件的性能、功耗和灵活性水平。

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NAND闪存第一季度意外出现短缺

NAND闪存第一季度意外出现短缺NAND闪存第一季度意外出现短缺智能手机与平板电脑的需求增加,是其中主要原因,还有中国因素的影响

作者:Michael Yang

据IHS公司的移动与嵌入存储市场追踪报告,今年第一季度中国低端智能手机的需求大增,让内存供应商措手不及,刺激了NAND闪存市场的增长并导致其出现供应短缺。

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NAND闪存市场第三季度表现亮丽

NAND闪存市场第三季度表现亮丽NAND闪存市场第三季度表现亮丽所有厂商均实现正的营业利润
作者:Dee Robinson
据IHS公司的闪存市场简报,NAND闪存市场在第三季度成功扭转颓势,需求改善和厂商大幅削减产量,使需求更加平衡。

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美光在NAND闪存市场的份额首次超过20%

美光在NAND闪存市场的份额首次超过20%美光NAND闪存市场份额首次超过20%营业收入增长,使得排名第三的美光缩小与第二名东芝之间的差距

作者:Dee Nguyen

据IHS iSuppli公司的NAND闪存动态简报,第二季度美国内存生产商美光的NAND闪存市场份额超过20%,这是其七年前进入该市场以来的首次,受益于竞争对手东芝表现不佳等有利因素。

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SANDISK宣布推出全球最小、最先进的19纳米工艺制造技术

NAND闪存行业领先的19nm 64-gigabit X2存储芯片;全球最小的NAND闪存芯片,计划于2011年下半年开始量产
SanDisk Corporation (NASDAQ:SNDK) 近日宣布推出采用全球领先的19纳米存储制造工艺、基于2-bits-per-cell (X2) 技术的64-gigabit (Gb) 单块芯片。此项技术将令SanDisk制造出适用于手机、平板电脑和其他设备的高性能、小尺寸嵌入式和可移动存储设备。

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Micron推出创新闪存装置,延长NAND闪存生命周期

Micron推出创新闪存装置,延长NAND闪存生命周期新型ClearNANDTM 产品内建 NAND智能纠错,使 NAND 技术迈向扩充之路
美光科技 (Micron Technology Inc.) 近日宣布推出高容量闪存产品组合,其将在未来延长数年NAND产品的生命周期。通过在同一个 NAND 封装内整合错误管理技术, 新的 Micron® ClearNAND™ 装置解决了 NAND 在传统上面临的由工艺微缩方面所带来的问题。Micron 的 ClearNAND 产品组合为更先进的NAND工艺世代带来新的机遇,使其可用于企业服务器、平板电脑、便携式媒体播放器和其他多种电子消费品。

美光科技战略营销总监Kevin Kilbuck介绍美光25纳米3-bit-per-cell NAND 闪存技术


这个视频是美光科技公司 (Micron Technology Inc.) 战略营销总监Kevin Kilbuck对美光和英特尔公司 (Intel Corporation)联合推出的25纳米 (nm) 制程的3-bit-per-cell (3bpc) NAND 闪存的介绍,该 NAND 设备拥有业界最大的容量和最小的尺寸。

【转帖】东芝发布24纳米新技术 单芯片可存8GB数据

东芝刚刚宣布将其全新的24纳米NAND闪存技术投产,这意味着东芝已经可以产出2bit/cell的64Gb组件,也就是单芯片上可以存储8GB的数据。

这款NAND闪存还将配合东芝之前研发的闪存DDR技术实现高性能、高容量存储,进一步提高手机、数码相机等设备的存储性能,并且东芝本次量产的产品可能会装备iPod和iPhone。

原文链接: http://digi.it.sohu.com/20100831/n274603729.shtml

2014年eMMC将占NAND移动市场出货量的40%

2014年eMMC将占NAND移动市场出货量的40% 2010年出货量预计暴增224%
作者:MICHAEL YANG

据iSuppli公司,2010年用于手机的嵌入式多媒体卡(eMMC) NAND闪存将出现爆炸性增长,预计出货量增长224%。2007年eMMC面世的时候增长缓慢,但三年后的2010年,其出货量将增长到7000万个,占总体NAND闪存出货量的10%。未来五年将继续强劲增长,保持86.4%的复合年度增长率。到2014年,eMMC出货量将达到4.8亿个,占总体NAND闪存出货量的40%左右。

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恒忆推出新系列相变存储器Numonyx Omneo PCM

恒亿设计、制造各种并口和串口NOR闪存、NAND闪存、RAM和相变非易失性存储器技术和产品,以满足无线和嵌入式细分市场日益复杂化的存储需求。恒忆致力于为全球客户提供高密度、低功耗存储技术和多片封装解决方案。

东芝推出业界最高容量64GB嵌入式NAND闪存模块

64GB嵌入式NAND闪存模块东芝今天宣布推出64GB嵌入式NAND闪存模块,该容量是目前业内的最高容量。64GB模块是一系列6款新型嵌入式NAND闪存模块的旗舰产品。该系列产品完全符合最新的 e•MMCTM 标准,可用于各种数字消费产品,包括智能电话、手机、笔记本和数码摄像机。64GB样品于今日推出,量产从2010年第1季度开始。

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